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배기 가스 후처리 장치 및 그 제어 방법

  • 기술번호 : KST2021013076
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 배기 가스 후처리 장치는 배기 파이프에 연결되어 있는 선택적 환원(Selective Catalytic Reduction; SCR) 촉매; 상기 배기 파이프 및 상기 SCR 촉매 사이에 위치하고, 요소를 분사하는 분사부; 상기 SCR 촉매의 전단에 위치하고, 상기 SCR 촉매 전단에서 제1 질소 산화물의 농도를 측정하는 제1 센서; 상기 SCR 촉매의 후단에 위치하고, 상기 SCR 촉매 후단에서 제2 질소 산화물의 농도를 측정하는 제2 센서; 및 상기 분사부에서 분사되는 요소 분사량을 결정하고, 상기 분사부를 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 제1 센서에서 측정된 상기 제1 질소 산화물의 농도, 상기 제2 센서에서 측정된 상기 제2 질소 산화물의 농도를 포함하는 배기 가스 후처리 데이터를 기반으로 촉매 모델을 통해 환원제 반응량을 계산한다.
Int. CL F01N 3/20 (2006.01.01) F01N 9/00 (2006.01.01)
CPC F01N 3/2066(2013.01) F01N 9/005(2013.01) F01N 2610/02(2013.01) F01N 2610/146(2013.01) F01N 2560/026(2013.01) F01N 2560/021(2013.01)
출원번호/일자 1020200061371 (2020.05.22)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0144264 (2021.11.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성무 경기도 성남시 분당구
2 조지호 경기도 성남시 수정구
3 김창환 경기도 성남시 분당구
4 이종민 서울특별시 관악구
5 임산하 서울특별시 관악구
6 이병준 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0516882-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.04.01 수리 (Accepted) 4-1-2021-5100876-85
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
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번호 청구항
1 1
배기 파이프에 연결되어 있는 선택적 환원(Selective Catalytic Reduction; SCR) 촉매;상기 배기 파이프 및 상기 SCR 촉매 사이에 위치하고, 요소를 분사하는 분사부;상기 SCR 촉매의 전단에 위치하고, 상기 SCR 촉매 전단에서 제1 질소 산화물의 농도를 측정하는 제1 센서;상기 SCR 촉매의 후단에 위치하고, 상기 SCR 촉매 후단에서 제2 질소 산화물의 농도를 측정하는 제2 센서; 및상기 분사부에서 분사되는 요소 분사량을 결정하고, 상기 분사부를 제어하는 제어기를 포함하고,상기 제어기는 상기 제1 센서에서 측정된 상기 제1 질소 산화물의 농도, 상기 제2 센서에서 측정된 상기 제2 질소 산화물의 농도를 포함하는 배기 가스 후처리 데이터를 기반으로 촉매 모델을 통해 환원제 반응량을 계산하는 배기 가스 후처리 장치
2 2
제1항에서,상기 촉매 모델은 전역 최적화 기법을 이용하여 촉매 파라미터를 구하는 배기 가스 후처리 장치
3 3
제2항에서,상기 전역 최적화 기법은 유전 알고리즘(Genetic Algorithm: GA), 입자 무리 최적화(Particle Swarm Optimization: PSO)와 같은 기법을 포함하는 배기 가스 후처리 장치
4 4
제1항에서,상기 제2 센서는 상기 SCR 촉매 후단에서 상기 환원제의 농도를 측정하는 배기 가스 후저리 장치
5 5
제4항에서,상기 배기 가스 후처리 데이터는 배기온, 배기 유량, 차속, 이산화 질소 대비 질소 산화물의 비율, 상기 제2 센서에서 측정된 상기 환원제의 농도를 더 포함하는 배기 가스 후처리 장치
6 6
제1항에서,상기 환원제는 암모니아를 포함하는 배기 가스 후처리 장치
7 7
제1항에서,상기 제어기는 계산된 상기 환원제 반응량을 통해 상기 SCR 촉매에 잔존하는 상기 환원제의 저장량, 상기 제2 질소 산화물의 농도 및 상기 환원제의 농도를 계산하는 배기 가스 후처리 장치
8 8
제7항에서,상기 제어기는 계산된 상기 환원제 반응량에 의해 상기 분사부를 제어하는 배기 가스 후처리 장치
9 9
제8항에서,상기 제어기는 계산된 상기 제2 질소 산화물의 농도와 상기 제2 센서에서 측정된 상기 제2 질소 산화물의 농도를 비교하는 배기 가스 후처리 장치
10 10
제1항에서,상기 제어기는 오차에 따라 상기 분사부에 상기 분사량에 관한 피드백을 제공하는 배기 가스 후처리 장치
11 11
촉매 모델이 입력된 배기 가스 후처리 데이터를 저장하고, 촉매 파라미터를 구하는 단계;상기 촉매 모델 및 미리 설정된 환원제 목표 저장량를 기반으로 요소 분사량을 결정하는 단계;결정된 상기 요소 분사량에 따라 요소 또는 환원제를 분사하는 단계;상기 배기 가스 후처리 데이터를 상기 촉매 모델에 반영하여 환원제 반응량을 계산하는 단계; 및계산된 상기 반응량을 통해 예측된 질소 산화물의 농도와 센서에서 측정된 질소 산화물의 농도를 비교하는 단계를 포함하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
12 12
제11항에서,상기 촉매 모델은 전역 최적화 기법을 포함하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
13 13
제11항에서,상기 배기 가스 후처리 데이터는 배기온, 배기 유량, 차속, 이산화 질소 대비 질소 산화물의 비율, 센서에서 측정된 질소 산화물의 농도, 환원제의 농도를 포함하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
14 14
제11항에서,상기 촉매 모델에는 촉매 반응식에 대한 리그(Rig) 평가 데이터가 입력되는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
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제14항에서,상기 촉매 반응식은 암모니아 저장 반응식, 암모니아 산화 반응식, 일산화 질소 산화 반응식 및 질소 산화물 환원 반응식을 포함하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
16 16
제15항에서,상기 촉매 모델은 상기 촉매 반응식에 따른 각각의 목표 환원제 저장량을 예측하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
17 17
제16항에서,상기 예측된 질소 산화물의 농도와 상기 측정된 질소 산화물의 농도를 비교하여 오차를 출력하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
18 18
제17항에서,상기 오차에 따라 상기 요소 분사량을 제어하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
19 19
제18항에서,상기 요소 분사량은 상기 촉매 반응식에 따라 각각 제어 가능한 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
20 20
제11항에서,상기 환원제는 암모니아를 포함하는 배기 가스 후처리 장치의 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.