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임계 스위치를 이용한 인공 뉴런 소자

  • 기술번호 : KST2021013194
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 인공 뉴런 소자는, 입력 단자와 제 1 노드 사이에 연결되는 임계 스위치; 및 상기 제 1 노드와 접지 단자 사이에 연결되는 부하 저항을 포함하되, 상기 입력 단자로 시간에 따라 일정한 레벨의 입력 전압이 인가되는 경우에, 상기 부하 저항에 스파이크 전류(spike current)가 흐르고, 상기 입력 단자로 인가되는 입력 전압의 레벨이 증가되는 경우에, 상기 부하 저항에 흐르는 스파이크 전류의 스파이크 빈도가 증가하는 구간이 발생한다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01.01) G06N 3/04 (2006.01.01)
CPC G06N 3/063(2013.01) G06N 3/049(2013.01)
출원번호/일자 1020200064666 (2020.05.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0147437 (2021.12.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.05.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수연 서울특별시 성북구
2 박종근 서울특별시 성북구
3 김인호 서울특별시 성북구
4 곽준영 서울특별시 성북구
5 김재욱 서울특별시 성북구
6 박종길 서울특별시 성북구
7 정연주 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍건두 대한민국 서울특별시 동대문구 안암로 ***, 안암아크로빌 ***호(케이알피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0545086-71
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0570023-92
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0570753-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 단자와 제 1 노드 사이에 연결되는 임계 스위치; 및상기 제 1 노드와 접지 단자 사이에 연결되는 부하 저항을 포함하되,상기 입력 단자로 시간에 따라 일정한 레벨의 입력 전압이 인가되는 경우에 상기 부하 저항에 스파이크 전류(spike current)가 흐르고, 상기 입력 단자로 인가되는 입력 전압의 레벨이 증가되는 경우에 상기 부하 저항에 흐르는 스파이크 전류의 스파이크 빈도가 증가하는 구간이 발생하는 인공 뉴런 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 임계 스위치는 오보닉 임계 스위치(OTS)인 것을 특징으로 하는 인공 뉴런 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 임계 스위치는 상부 전극, TS 재료, 그리고 하부 전극을 포함하고,상기 TS 재료는 Nb, Ta, V 중에서 적어도 하나를 포함하는 산화물인 인공 뉴런 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 임계 스위치는 상부 전극, TS 재료, 그리고 하부 전극을 포함하고,상기 TS 재료는 Se, Te 중에서 적어도 하나와 Si, Ge, As 중에서 적어도 하나를 포함하는 화합물인 인공 뉴런 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 임계 스위치는 문턱 전압(Vth), 홀딩 전압(Vh), 그리고 이전 저항 상태에 따라, 온 저항 상태 또는 오프 저항 상태를 갖는 인공 뉴런 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 부하 저항은 능동 저항 소자로 구현되는 인공 뉴런 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 부하 저항은 수동 저항 소자로 구현되는 인공 뉴런 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 미래반도체 신소자원천기술 개발사업 Sub-pJ 스파이킹 인공 신경망 기술