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구리 박막을 플라즈마화 되지 않은 할로겐 원소를 포함한 반응가스에 노출시켜, 구리 박막 상에 구리 할로겐화물층을 형성하는 제1 단계; 및상기 제1 단계 후, 플라즈마화된 불활성가스 또는 불활성가스 혼합물을 공급하여, 구리 할로겐화물층을 제거하는 제2 단계;를 포함하는, 구리 박막의 건식 식각방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서의 기판에 인가되는 직류 바이어스(dc-bias) 전압은 100 내지 300V인 것을 특징으로 하는, 구리 박막의 건식 식각방법
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제 1 항에 있어서,상기 구리 박막의 식각은 제1 및 제2의 식각 단계가 1 회 이상 순환(cycle)되어 이루어지며, 식각 속도는 0
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제 1 항에 있어서,상기 할로겐 원소를 포함한 가스는 F2, ClF3, NF3, SF6, SF4, XeF2, Cl2, Br2, BCl3, SiCl4, I2, CF4, CF2Cl2, CCl4, CF3Cl, C2F6, C3F8, CHF3, NF3, 할로겐화수소 및 이들의 혼합물 중 선택되는 어느 하나 이상이고, 불활성 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리 박막의 건식 식각방법
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제 4 항에 있어서,상기 할로겐 원소를 포함한 가스는 할로겐화수소로 HF, HCl, HBr 또는 HI 중 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 구리 박막의 건식 식각방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 및 제 2 단계에서의 구리 박막이 증착된 기판 온도는 0 내지 20℃인 것을 특징으로 하는, 구리 박막의 건식 식각방법
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제 1 항에 있어서,상기 불활성가스 또는 불활성가스 혼합물는 He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2 및 이들의 혼합물 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 구리 박막의 건식 식각방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 단계의 진공도가 1 ~ 10 m Torr이고, 반응가스에 대한 노출 시간이 5 내지 20 초이며,상기 제 2 단계의 진공도가 1 ~ 10 m Torr이고, ICP rf 전력이 100 내지 300 W 이고, 기판에 인가되는 직류 바이어스 전압이 100 내지 300V일 때, 식각 속도는 0
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