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기판 상에 전이금속으로 제1 전기도금하는 단계; 및상기 전이금속 도금된 기판을 제2 전기도금하는 단계;를 포함하는, 다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 Ni 폼(Ni-foam), 탄소-함유 기판 또는 이 둘을 포함하는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 탄소-함유 기판은, 탄소 섬유, 활성탄, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 퍼니스 블랙, 케쳔 블랙, 슈퍼-P(Super-P), 미세 흑연분말, 탄소나노튜브(CNT), 섬유상의 탄소인 휘스커, 증기성장 탄소 섬유(VGCF), 그래핀 및 흑연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전기도금 하는 단계는, 0
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제1항에 있어서,상기 제2 전기도금 하는 단계는, 0
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제1항에 있어서,상기 제1 전기도금 단계는, 상기 전이금속의 시드를 핵 형성시키는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2 전기도금 단계는, 상기 핵 형성된 시드를 결정 성장시키는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속은, 아연(Zn), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,다공성 전극의 제조방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 다공성 전극의 제조방법에 의해 제조된 다공성 전극
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제9항에 있어서,상기 다공성 전극은 다공성 상호 연결된 2차원 나노 기공을 포함하는 것인,다공성 전극
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제9항에 있어서,상기 다공성 전극의 비표면적이 50 m2/g 내지 3000 m2/g인 것인, 다공성 전극
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제9항에 있어서,상기 다공성 전극의 기공 직경은 10 nm 내지 500 nm인 것인,다공성 전극
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제9항에 있어서,상기 다공성 전극은 플랫형, 섬유형 또는 이 둘을 포함하는 것인,다공성 전극
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제9항의 다공성 전극을 포함하는 캐소드;애노드; 및상기 캐소드 및 상기 애노드 사이에 채워지는 전해질;을 포함하는,슈퍼 커패시터
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제14항에 있어서,상기 슈퍼 커패시터는, 0
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제14항에 있어서,상기 슈퍼 커패시터는, 1 내지 10,000의 정전류 충방전 사이클(galvanostatic charge-discharge cycles)에서 98 % 이상의 커패시턴스 유지율을 가지는 것인,슈퍼 커패시터
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제14항에 있어서,상기 슈퍼 커패시터는 아연 이온 슈퍼 커패시터인 것인,슈퍼 커패시터
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