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반도체 기판 세정액의 평가 방법

  • 기술번호 : KST2021013316
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는, 반도체 기판의 구성 물질인 기판 물질을 포함하는 원자힘 현미경(AFM)용 팁을 준비하는 단계, 반도체 기판용 연마제에 포함되는 연마 물질이 흡착된 시편을 준비하는 단계, 상기 팁이 장착된 원자힘 현미경(AFM)을 이용해서, 상기 기판 물질과 상기 연마 물질 간의 제1 접착 에너지를 측정하는 단계, 상기 기판 물질을 포함하는 수동진동자 미소저울(QCM)용 전극을 준비하는 단계, 상기 연마 물질이 혼합된 반도체 기판용 세정액을 준비하는 단계, 상기 전극이 장착된 수동진동자 미소저울(QCM)을 이용해서, 상기 전극과 상기 세정액에 혼합된 상기 연마 물질 간의 제2 접착 에너지를 측정하는 단계 및 상기 제1 접착 에너지와 상기 제2 접착 에너지를 비교하여, 상기 세정액의 성능을 수치화하는 단계를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법을 제공한다.
Int. CL G01Q 60/28 (2010.01.01) G01N 29/02 (2006.01.01) C11D 11/00 (2006.01.01)
CPC G01Q 60/28(2013.01) G01N 29/022(2013.01) C11D 11/0082(2013.01)
출원번호/일자 1020200067002 (2020.06.03)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0150637 (2021.12.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준용 경기도 용인시 수지구
2 김재정 서울특별시 서초구
3 명경규 서울특시 관악구
4 변진욱 서울특별시 관악구
5 김호중 경기도 용인시 기흥구
6 추민주 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0571303-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판의 구성 물질인 기판 물질을 포함하는 원자힘 현미경(AFM, atomic force microscopy)용 팁을 준비하는 단계;반도체 기판용 연마제에 포함되는 연마 물질이 흡착된 시편을 준비하는 단계;상기 팁이 장착된 원자힘 현미경(AFM)을 이용해서, 상기 기판 물질과 상기 연마 물질 간의 제1 접착 에너지를 측정하는 단계;상기 기판 물질을 포함하는 수동진동자 미소저울(QCM, quartz crystal microbalance)용 전극을 준비하는 단계;상기 연마 물질이 혼합된 반도체 기판용 세정액을 준비하는 단계;상기 전극이 장착된 수동진동자 미소저울(QCM)을 이용해서, 상기 전극과 상기 세정액에 혼합된 상기 연마 물질 간의 제2 접착 에너지를 측정하는 단계; 및상기 제1 접착 에너지와 상기 제2 접착 에너지를 비교하여, 상기 세정액의 성능을 수치화하는 단계를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 기판 물질은, 실리콘(silicon), 실리콘 산화물(silicon oxide), 실리콘 질화물(silicon nitride)을 포함하는 절연 물질 및 구리(Cu), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 티타늄(Ti)을 포함하는 도전 물질 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 연마 물질은 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 및 세리아(CeO2) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 접착 에너지를 측정하는 단계는,상기 팁으로 상기 시편을 탭핑(tapping)할 때 상기 팁과 상기 시편 사이의 거리에 따른 상기 팁과 상기 시편 사이에 작용하는 힘을 힘(nN)-거리(μm) 그래프로 나타내는 단계,상기 힘-거리 그래프를 이용해서 상기 시편과 접촉한 상기 팁의 접촉 면적을 계산하는 단계, 상기 힘-거리 그래프를 이용해서 상기 팁과 상기 시편이 분리될 때 작용한 흡착(adsorption) 에너지를 계산하는 단계, 및상기 팁의 상기 접촉 면적과 상기 흡착 에너지를 이용하여 상기 기판 물질의 상기 연마 물질에 대한 원자 당 흡착 에너지(eV/#)인 상기 제1 접착 에너지를 계산하는 단계를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 힘-거리 그래프는, 상기 팁과 상기 시편이 가까워지는 상태를 나타내는 어프로치(approach) 그래프 및상기 팁과 상기 시편이 멀어지는 상태를 나타내는 디테치(detach) 그래프를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
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제5 항에 있어서,상기 시편과 접촉한 상기 팁의 접촉 면적을 계산하는 단계에서, 상기 팁의 접촉 면적은 상기 어프로치 그래프에서 상기 힘(nN)이 최대인 지점의 거리(μm)를 이용해서 계산되는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
7 7
제5 항에 있어서,상기 팁과 상기 시편이 분리될 때 작용한 흡착(adsorption) 에너지를 계산하는 단계에서,상기 흡착 에너지는 상기 디테치 그래프에서 상기 힘(nN)이 0 이하인 영역의 면적을 이용해서 계산되는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 접착 에너지를 측정하는 단계는,특정 온도에서 시간에 따라 상기 전극에 흡착되는 상기 세정액에 혼합된 상기 연마 물질의 흡착량을 흡착량(ng)-시간(s) 그래프로 나타내는 단계,상기 특정 온도를 달리하여 상기 흡착량(ng)-시간(s) 그래프로 나타내는 단계를 반복하고, 온도에 따른 흡착 속도(ng/s)를 흡착 속도(ng/s)-온도(T) 그래프로 나타내는 단계,상기 흡착 속도(ng/s)-온도(T) 그래프를 이용하여 상기 세정액 내에서 상기 기판 물질의 상기 연마 물질에 대한 원자 당 흡착 에너지(eV/#)인 상기 제2 접착 에너지를 계산하는 단계를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
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원자힘 현미경(AFM)을 이용해서, 원자힘 현미경(AFM)의 팁과 연마 물질 간의 제1 접착 에너지를 측정하는 단계;수동진동자 미소저울(QCM)을 이용해서, 수동진동자 미소저울(QCM)의 전극과 반도체용 세정액에 혼합된 상기 연마 물질 간의 제2 접착 에너지를 측정하는 단계; 및상기 제1 접착 에너지와 상기 제2 접착 에너지를 비교하여, 상기 세정액의 성능을 수치화하는 단계를 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
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제9 항에 있어서,상기 팁 및 상기 전극은, 상기 세정액이 적용되는 반도체 기판의 구성 물질인 기판 물질을 포함하는 반도체 기판 세정액의 평가 방법
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패밀리정보가 없습니다
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