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그래핀층을 포함하는 집전체, 이를 포함하는 리튬이온전지 및 슈퍼커패시터

  • 기술번호 : KST2021013441
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 도전성 박막 및 해당 도전성 박막의 적어도 일면에 코팅된 그래핀층을 포함하는 집전체로서, 그래핀층은 단일 그래핀층이 5층 이하로 적층된 것인 집전체, 이를 포함하는 리튬이온전지 및 슈퍼커패시터가 제공된다.
Int. CL H01M 4/66 (2006.01.01) H01M 4/131 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) H01G 11/68 (2013.01.01) H01G 11/70 (2013.01.01) H01G 11/38 (2013.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210178041 (2021.12.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0154797 (2021.12.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2019-0117868 (2019.09.25)
관련 출원번호 1020190117868
심사청구여부/일자 Y (2021.12.13)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양철민 전라북도 완주군
2 김소연 전라북도 완주군
3 위재형 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 (수송동, 석탄회관빌딩)(케이씨엘특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2021.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-1443429-37
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번호 청구항
1 1
양극 집전체로서,알루미늄 도전성 박막; 및상기 알루미늄 도전성 박막의 적어도 일면에 전사된 그래핀층;을 포함하고,상기 그래핀층은 단일 그래핀층이 3층으로 적층된 것이고,상기 3층으로 적층된 그래핀 층의 두께는 0
2 2
제1항에 있어서,상기 도전성 박막은 10 내지 40μm의 두께를 갖는 양극 집전체
3 3
제1항에 있어서,상기 집전체는 0
4 4
제1항 내지 제3항 어느 한 항의 양극 집전체의 제조 방법으로서,임시 기판 상에 그래핀층을 증착시키는 제1 단계; 및상기 임시기판으로부터 그래핀층을 박리하여 알루미늄 도전성 박막의 적어도 일면에 그래핀층을 전사시키는 제2 단계; 를 포함하고,상기 제1 단계 및 제2단계를 순차적으로 5회 이하로 수행하는 양극 집전체의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1단계 및 제2단계를 순차적으로 3회 내지 5회 반복하여 수행하는 양극 집전체의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 제1단계 및 제2단계를 순차적으로 3회 반복하여 수행하는 양극 집전체의 제조 방법
7 7
제4항에 있어서,상기 그래핀을 증착시키는 공정은 화학기상증착(CVD) 공정을 통해 수행되는, 양극 집전체의 제조 방법
8 8
제1항 내지 제3항 어느 한 항에 따른 양극 집전체; 및상기 그래핀층 상에 형성된 양극 활물질층을 포함하는 리튬이온전지 양극;을 포함하는 리튬이온전지
9 9
제8항에 있어서,상기 양극 활물질층은 LiCoO2, LiNiO2, LiMnO2, LiMn2O4, LiCoPO4, 및 LiFePO4로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 양극 활물질을 포함하는 리튬이온전지
10 10
제8항에 있어서,상기 리튬이온전지는 100사이클 이후에 100 내지 120 mAl/g의 방전 용량 보유력을 보이는, 리튬이온전지
11 11
제1항 내지 제3항 어느 한 항에 따른 양극 집전체; 및상기 그래핀층 상에 형성되며 전극활물질, 도전재 및 바인더를 함유하는 전극활물질층;을 포함하는 전극을 포함하는 슈퍼커패시터
12 12
제11항에 있어서,상기 도전재는 슈퍼-P, 카본블랙, 아세틸렌블랙, 캐첸블랙, 활성탄소, 하드카본, 소프트카본, 탄소나노튜브, 그래핀 및 그라파이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 슈퍼커패시터
13 13
제11항에 있어서,상기 바인더는 비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 코폴리머, 폴리 비닐리덴 플루오라이드, 폴리아크릴로니트릴 및 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 슈퍼커패시터
14 14
제11항에 있어서,상기 전극활물질은 니켈, 코발트, 백금, 금, 알루미늄, 크롬 및 구리로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 이루어진 슈퍼커패시터
15 15
제11항에 있어서,상기 그래핀층 및 전극활물질층 사이에 전도성 접착층을 더 포함하는 슈퍼커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R&D) 산화그래핀 기반 고분산/고농도 전도성 그래핀-고분자 중간재 제조기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R&D) 산화그래핀 기반 고분산/고농도 전도성 그래핀-고분자 중간재 제조기술 개발