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교류 전원;상기 교류 전원과 연결된 반도체 전극 및 상대 전극;상기 반도체 전극이 함침된 전해질; 및상기 반도체 전극에 빛을 조사하는 광원;을 포함하고,상기 반도체 전극은 기준 전극 및 상기 기준 전극으로부터 수직으로 성장하여 배열된 n 타입 반도체 및 p 타입 반도체를 포함하고,상기 반도체 전극은 상기 n 타입 반도체 및 상기 p 타입 반도체가 교대로 배치된 3 차원 이종 접합 구조를 가지고,상기 반도체 전극에서는 전자 및 정공의 재결합 과정이 발생하지 않는 것인,수소 발생 장치에 있어서,상기 수소 발생 장치는 교류 전원에 의해 상기 수소 발생 장치의 반도체 전극의 표면에서는 전기 이중층 현상이 억제되고,상기 교류 전원으로부터 인가된 음의 전압에 의해 상기 p 타입 반도체의 표면에서 수소가 발생하고, 상기 수소는 상기 p 타입 반도체의 표면에 결합되고
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제 1 항에 있어서,상기 n 타입 반도체 및 상기 p 타입 반도체는 각각 독립적으로 Cu-In-Se계, Cu-In-S계, Cu-Sb-Se계, Cu-Sb-S계, Zn-In-Se계, Zn-In-S계, Zn-Sb-Se계, Zn-Sb-S계, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 수소 발생 장치
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제 2 항에 있어서,상기 n 타입 반도체는 Cu-In-Se 가 1 : 3 : 5 의 조성비를 가지고, 상기 p 타입 반도체는 Cu-In-Se 가 1 : 1 : 2 의 조성비를 가지는 것인, 수소 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 교류 전원은 상기 기준 전극 상에 -1
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제 1 항에 있어서,상기 광원으로부터 조사된 빛 및/또는 상기 반도체 전극에 인가된 전압에 의해 상기 전해질 상에서 수소가 발생하는 것인, 수소 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 교류 전원의 주파수는 0
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제 1 항에 있어서,상기 기준 전극 및 상기 상대 전극은 각각 독립적으로 Mo, Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 수소 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 교류 전원의 에너지원은 태양전지, 압전소자, 열전소자, 마찰전기, 광전소자, 자성유체(ferrofluid), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 수소 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 조사되는 빛의 파장은 300 nm 내지 900 nm 인, 수소 발생 장치
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 수소 발생 장치의 반도체 전극의 제조 방법에 있어서,상기 기준 전극 상에 제 1 금속을 증착하는 단계;상기 제 1 금속의 상단부에 제 2 금속을 증착하는 단계; 및상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속을 셀레늄 또는 황 분위기 하에 열처리하여 화합물 반도체를 제조하는 단계를 포함하고,상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속의 원자 조성비는 0
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 금속은 Cu 또는 Zn 를 포함하고, 상기 제 2 금속은 In 또는 Sb 를 포함하는 것인, 반도체 전극의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 Cu-In-Se계, Cu-In-S계, Cu-Sb-Se계, Cu-Sb-S계, Zn-In-Se계, Zn-In-S계, Zn-Sb-Se계, Zn-Sb-S계, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 반도체 전극의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 교대로 배치된 n 타입 반도체 및 p 타입 반도체를 포함하고, 3 차원 이종 접합 구조를 갖는 것인, 반도체 전극의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 금속 또는 상기 제 2 금속을 증착하는 단계는 전기 증착(electrodeposition), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition), 물리 기상 증착(physical vapor deposition), 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 공정에 의한 것인, 반도체 전극의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 열처리하는 온도는 450℃ 내지 650℃ 인, 반도체 전극의 제조 방법
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