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전도성 기재 및 이를 이용한 분석대상물의 분석방법

  • 기술번호 : KST2021013525
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔을 이용한 분석대상물의 분석방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 분석대상물의 분석방법은 I) 비전도성 기재 및 상기 비전도성 기재 상부에 위치하고 전도성을 갖는 소수성 2차원 나노구조체를 함유하는 전도성 층을 포함하는 대상 기재와 유기 탄성부재를 물리적으로 접촉시킨 후 서로 분리하는 단계; II) 유기 탄성부재와 접촉 후 분리된 대상 기재에 에너지를 인가하여 전도성 층을 친수화하는 단계; III) 친수화된 전도성층 상부에 분석대상물을 위치시키는 단계; 및 IV) 분석대상물에 전자 빔을 조사하는 단계;를 포함한다.
Int. CL G01N 1/28 (2006.01.01) G01N 15/00 (2017.01.01)
CPC G01N 1/2813(2013.01) G01N 23/2251(2013.01) G01N 2001/2833(2013.01) G01N 2015/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020200073970 (2020.06.18)
출원인 한국화학연구원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0156410 (2021.12.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.18)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대전광역시 유성구
2 이건희 대전광역시 유성구
3 정두원 대전광역시 유성구
4 장아랑 대전광역시 유성구
5 강민성 대전광역시 유성구
6 황준연 전라북도 완주군
7 이경은 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0625851-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0180927-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0801231-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1182464-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-1182490-13
7 등록결정서
Decision to grant
2021.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-1000058-25
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번호 청구항
1 1
I) 비전도성 기재 및 상기 비전도성 기재 상부에 위치하고 전도성을 갖는 소수성 2차원 나노구조체를 함유하는 전도성 층을 포함하는 대상 기재와 유기 탄성부재를 물리적으로 접촉시킨 후 서로 분리하는 단계; II) 유기 탄성부재와 접촉 후 분리된 대상 기재에 에너지를 인가하여 전도성 층을 친수화하는 단계;III) 친수화된 전도성층 상부에 분석대상물을 위치시키는 단계; 및IV) 분석대상물에 전자 빔을 조사하는 단계;를 포함하는 분석대상물의 분석 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 유기 탄성부재와 소수성 2차원 나노구조체간의 물리적 접촉 시간, 물리적 접촉시 가해지는 압력 및 물리적 접촉 횟수에서 하나 이상 선택되는 인자를 제어하여, I) 단계의 물리적 접촉에 의한 유기 탄성부재로부터 전도성 층으로의 유기성분 전사량이 조절되는 분석대상물의 분석 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 에너지의 인가는 플라즈마 인가, UV-오존 인가, 광 인가, 전압 인가 또는 이들의 조합을 포함하는 분석대상물의 분석 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 에너지의 인가는 산소 함유 플라즈마 인가를 포함하는 분석대상물의 분석 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 전도성 층에 상기 유기 탄성부재가 압착되는 위치, 상기 전도성 층에 접하는 유기 탄성부재의 표면인 접촉면의 크기, 접촉면의 형상, 접촉면의 패턴 및 전도성 층에 압착되는 둘 이상의 유기 탄성부재의 배열에서 하나 이상 선택되는 인자에 의해, 상기 전도성 층에서 친수화되는 영역이 제어되는 분석대상물의 분석 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 소수성 2차원 나노구조체는 그래핀을 포함하는 분석대상물의 분석 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 물리적 접촉은 하기 식 1을 만족하도록 수행되는 분석대상물의 분석 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 유기 탄성부재에서, 적어도 상기 전도성 층과 접하는 표면인 접촉면은 소수성을 갖는 분석대상물의 분석 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 유기 탄성부재에서, 적어도, 상기 전도성 층과 접하는 표면인 접촉면은 실록산계 탄성체를 함유하는 분석대상물의 분석 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 실록산계 탄성체는 지방족 폴리실록산, 방향족 폴리실록산, 지방족기와 방향족기를 하나의 반복단위 내에 모두 포함하는 폴리실록산, 지방족기를 포함하는 제1반복단위와 방향족기를 포함하는 제2반복단위를 포함하는 폴리실록산, 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 공중합체를 포함하는 분석대상물의 분석 방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 실록산계 탄성체는 폴리디메틸실록산, 폴리디에틸실록산, 폴리메틸에틸실록산, 폴리디메틸실록산-co-디에틸실록산, 폴리디메틸실록산-co-에틸메틸실록산, 폴리메틸히드록시실록산, 폴리메틸프로필실록산, 폴리메틸부틸실록산, 폴리디페닐실록산, 폴리메틸페닐실록산, 폴리에틸페닐실록산, 폴리(디메틸실록산-co-디페닐실록산) 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 공중합체를 포함하는 분석대상물의 분석 방법
12 12
제 1항에 있어서,II) 단계 후 및 III) 단계 전, 친수화된 전도성 층 상부에 생체적합성 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 분석대상물의 분석 방법
13 13
I) 비전도성 기재 및 상기 비전도성 기재 상부에 위치하며 전도성 2차원 나노구조체를 함유하며 소수성을 갖는 전도성 층을 포함하는 대상 기재와 유기 탄성부재를 물리적으로 접촉시킨 후 서로 분리시키는 단계; 및II) 유기 탄성부재와 접촉 후 분리된 대상 기재에 에너지를 인가하여 전도성 층을 친수화하는 단계;를 포함하는 전도성 기재의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 전도성 기재는 전자 빔(electron beam)이 조사되는 분석대상물을 지지하기 위한 지지체인 전도성 기재의 제조방법
15 15
제 13항에 있어서,상기 전도성 2차원 나노구조체는 그래핀을 포함하는 전도성 기재의 제조방법
16 16
제 13항에 있어서,상기 유기 탄성부재에서, 적어도, 상기 소수성 2차원 나노구조체와 접하는 표면인 접촉면은 실리콘 수지를 함유하는 전도성 기재의 제조방법
17 17
제 13항에 있어서,상기 에너지의 인가는 플라즈마 인가, UV-오존 인가, 광 인가, 전압 인가 또는 이들의 조합을 포함하는 전도성 기재의 제조방법
18 18
면저항(sheet resistance)이 50kΩ/sq
19 19
제 18항에 있어서,하기 식 2를 만족하는 전도성 기재
20 20
제 18항에 있어서,상기 친수성 그래핀 필름의 라만 스펙트럼 상 -OH 피크와 -CH3 피크가 검출되는 전도성 기재
21 21
제 18항에 있어서,상기 친수성 그래핀 필름의 면 저항은 20kΩ/sq
22 22
제 18항에 있어서,상기 친수성 그래핀 필름을 지지하는 지지기재를 더 포함하는 전도성 기재
23 23
제 18항에 있어서,상기 친수성 그래핀 필름의 표면에 코팅된 생체적합성 코팅층을 더 포함하는 전도성 기재
24 24
제 18항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 따른 전도성 기재를 포함하는, 전자 빔(electron beam)이 조사되는 분석대상물 지지용 지지체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국화학연구원 나노·소재기술개발(R&D) 결함 엔지니어링을 통한 저가/고품질 그래핀 소재기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R&D) 그래핀 결함 분석 및 치유를 통한 규격화 기술 개발