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탄소 코팅층을 포함하는 다공성 실리콘 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지

  • 기술번호 : KST2021015810
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에는, 다공성 실리콘 복합체로서, 다공성 실리콘 입자; 및 상기 다공성 실리콘 입자 상에 형성된 탄소 코팅층;을 포함하고, 상기 다공성 실리콘 입자는 3차원으로 배열된 기공을 가지며, 상기 다공성 실리콘 복합체의 직경은 10 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는, 다공성 실리콘 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지가 개시된다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 33/02 (2006.01.01) C01B 32/05 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210181589 (2021.12.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0157453 (2021.12.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2019-0117674 (2019.09.24)
관련 출원번호 1020190117674
심사청구여부/일자 Y (2021.12.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양철민 전라북도 완주군
2 김소연 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 (수송동, 석탄회관빌딩)(케이씨엘특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2021.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2021-1465274-62
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번호 청구항
1 1
실리콘과 알칼리 금속으로 이루어진 합금 분말로 선택적 에칭을 수행하여 다공성 실리콘 입자를 얻는 단계;상기 다공성 실리콘 입자 및 탄소계 고분자가 분산된 용액을 이용하여, 액상 합성법에 의하여 상기 다공성 실리콘 입자 상의 표면 또는 내부에 탄소 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 실리콘 입자 상에 탄소 코팅층을 형성한 후, 상기 다공성 실리콘 입자를 2회 이상 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 열처리하는 단계는, 200 내지 350 ℃에서 1차 열처리하는 단계; 및700 내지 900 ℃에서 2차 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘 복합체 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소계 고분자는 아미노기 또는 아미노 알킬기를 포함하는 탄소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 다공성 실리콘 복합체 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 다공성 실리콘 입자 및 상기 탄소계 고분자의 중량비는 5:1 내지 1:1인 것을 특징으로 하는, 다공성 실리콘 복합체 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 2회 이상 연속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 다공성 실리콘 복합체 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 1차 열처리 하는 단계 및 2차 열처리 하는 단계는 각각 30분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 다공성 실리콘 복합체 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 다공성 실리콘 입자를 얻는 단계는,Al-Si 마이크로 입자를 염화수소로 에칭하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 다공성 실리콘 복합체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R&D) 산화그래핀 기반 고분산/고농도 전도성 그래핀-고분자 중간재 제조기술 개발