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전계 방출형 엑스선원에 있어서,전자를 방출하는 에미터(emitter)를 구비하는 캐소드(cathode) 전극; 및상기 에미터에서 방출되는 전자가 충돌하면서 엑스선을 생성하는 타겟(target)을 구비하는 애노드(anode) 전극;을 포함하며,상기 에미터는,복수의 도전체 박막과 복수의 유전체 박막이 순차 교차하는 적층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 에미터는 진공 공간에 구비되어,상기 도전체 박막과 상기 유전체 박막이 진공과 접점을 이루는 삼중점을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 도전체 박막과 상기 유전체 박막은 상기 전자가 진행하는 제1 방향과 동일한 방향으로 배치되며,상기 전자는 상기 도전체 박막의 종단에서 방출되어 상기 제1 방향으로 진행하는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 도전체 박막은,몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 로듐(Rh), 백금(Pt), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 중 하나 또는 둘 이상을 포함하여 구성되는 금속 박막인 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 도전체 박막은,그래핀(graphene) 또는 이를 포함하여 구성되는 박막인 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 유전체 박막은,DLC(Diamond Like Carbon), 다이아몬드 또는 실리콘 화합물 유전체 중 하나 또는 둘 이상을 포함하여 구성되는 박막인 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 에미터에는,구리(Cu) 또는 다른 금속재로 구성되거나, 또는 사파이어 또는 다른 절연체로 구성되는 제1 기판이 구비되며,상기 제1 기판의 양측부에는 적층 구조를 이루는 상기 복수의 도전체 박막과 복수의 유전체 박막이 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제7항에 있어서,상기 제1 기판은 상기 도전체 박막 또는 상기 유전체 박막의 증착이 가능한 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 도전체 박막은 물리 기상 증착(PVD) 공정이 가능한 재질로 구성되고,상기 유전체 박막은 화학 기상 증착(CVD) 공정이 가능한 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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10
제1항에 있어서,상기 도전체 박막과 상기 유전체 박막은 각각 1nm ~ 1μm 범위 내의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 캐소드 전극에는 복수의 상기 에미터(emitter)가 2차원 배열을 이루어 배치되며,상기 복수의 에미터(emitter)는 서로 독립적으로 동작하도록 제어 가능한 것을 특징으로 하는 전계 방출형 엑스선원
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