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광 센서, 광 센싱 회로 및 전자 장치

  • 기술번호 : KST2021016027
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은, 광 센서, 광 센싱 회로 및 전자 장치에 관한 것으로서, 밴드갭이 작은 양자점과 밴드갭이 큰 산화물 반도체가 적층된 광 기능 활성층을 포함하는 광 센서를 제공함으로써, 높은 투과도를 가지면서 외부로부터 입사되는 가시광선을 센싱할 수 있는 광 센서를 제공할 수 있다. 또한, 복수의 광 센서가 밴드갭이 상이한 양자점을 포함하여 단위 회로를 구성하거나, 밴드갭이 상이한 복수의 양자점이 적층된 광 기능 활성층을 포함하는 광 센서에 의해 입사되는 가시광선의 파장을 컬러 필터 없이 식별할 수 있는 방안을 제공한다.
Int. CL H01L 31/113 (2006.01.01) G01J 1/44 (2006.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0296 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1136(2013.01) G01J 1/44(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/0296(2013.01)
출원번호/일자 1020200048999 (2020.04.22)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0130596 (2021.11.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성준 경기도 파주시
2 문정민 경기도 파주시
3 정지환 경기도 파주시
4 박성호 경기도 파주시
5 김병준 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)유일하이스트 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0416535-88
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0425108-17
3 보정요구서
Request for Amendment
2020.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0061119-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 양자점과 상기 양자점의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 산화물 반도체를 포함하는 광 기능 활성층;상기 광 기능 활성층 상에 배치된 소스 전극; 및상기 광 기능 활성층 상에서 상기 소스 전극과 이격되어 배치된 드레인 전극을 포함하는 광 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 양자점은 상기 게이트 절연층과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 광 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체는 상기 양자점과 상기 소스 전극 사이에 위치하며 상기 소스 전극과 접촉되고, 상기 양자점과 상기 드레인 전극 사이에 위치하며 상기 드레인 전극과 접촉되는 광 센서
4 4
제1항에 있어서,상기 양자점의 일부는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 중첩된 영역에 위치하는 광 센서
5 5
제1항에 있어서,상기 광 기능 활성층은 상이한 밴드갭을 갖는 적어도 둘 이상의 양자점을 포함하는 광 센서
6 6
제1항에 있어서,상기 광 기능 활성층은,제1 밴드갭을 갖는 제1 양자점; 및상기 제1 밴드갭보다 큰 제2 밴드갭을 갖고, 상기 제1 양자점과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 제2 양자점을 포함하는 광 센서
7 7
제6항에 있어서,상기 제2 양자점의 상기 제2 밴드갭은 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 광 센서
8 8
제6항에 있어서,상기 광 기능 활성층은,상기 제2 밴드갭보다 큰 제3 밴드갭을 갖고, 상기 제2 양자점과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 제3 양자점을 더 포함하고,상기 제3 양자점의 상기 제3 밴드갭은 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 광 센서
9 9
제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 투명 전극으로 이루어진 광 센서
10 10
기판;상기 기판 상에 배치되고, 제1 밴드갭을 갖는 제1 양자점과 상기 제1 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 산화물 반도체를 포함하는 제1 광 기능 활성층을 포함하는 제1 광 센서;상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 밴드갭보다 크고 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 제2 밴드갭을 갖는 제2 양자점과 상기 산화물 반도체를 포함하는 제2 광 기능 활성층을 포함하는 제2 광 센서; 및상기 기판 상에 배치되고, 상기 제2 밴드갭보다 크고 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 제3 밴드갭을 갖는 제3 양자점과 상기 산화물 반도체를 포함하는 제3 광 기능 활성층을 포함하는 제3 광 센서를 포함하는 광 센싱 회로
11 11
제10항에 있어서,상기 산화물 반도체의 일면에 적어도 하나의 전극이 배치되고, 상기 제1 양자점, 상기 제2 양자점 및 상기 제3 양자점은 상기 산화물 반도체에 의해 상기 전극과 이격되는 광 센싱 회로
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 양자점, 상기 제2 양자점 및 상기 제3 양자점 각각의 일부는 상기 산화물 반도체의 상기 일면에 배치된 상기 적어도 하나의 전극과 중첩된 영역에 위치하는 광 센싱 회로
13 13
제10항에 있어서,상기 제1 광 센서, 상기 제2 광 센서 및 상기 제3 광 센서 각각은 절연층을 더 포함하고,상기 제1 양자점, 상기 제2 양자점 및 상기 제3 양자점은 상기 산화물 반도체와 상기 절연층 사이에 위치하는 광 센싱 회로
14 14
제10항에 있어서,상기 제1 광 센서는 상기 제2 광 센서 및 상기 제3 광 센서 중 적어도 하나가 센싱 신호를 출력하는 기간에 센싱 신호를 출력하는 광 센싱 회로
15 15
제10항에 있어서,상기 제2 광 센서는 상기 제3 광 센서가 센싱 신호를 출력하는 기간에 센싱 신호를 출력하는 광 센싱 회로
16 16
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 광 센서를 포함하는 전자 장치
17 17
제16항에 있어서,내부에서 광을 발산하는 적어도 하나의 발광 소자를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 발광 소자가 턴-오프 된 기간 중 적어도 일부 기간에 상기 광 센서로 턴-오프 레벨의 전압이 공급되는 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.