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기판 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 양자점과 상기 양자점의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 산화물 반도체를 포함하는 광 기능 활성층;상기 광 기능 활성층 상에 배치된 소스 전극; 및상기 광 기능 활성층 상에서 상기 소스 전극과 이격되어 배치된 드레인 전극을 포함하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 양자점은 상기 게이트 절연층과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체는 상기 양자점과 상기 소스 전극 사이에 위치하며 상기 소스 전극과 접촉되고, 상기 양자점과 상기 드레인 전극 사이에 위치하며 상기 드레인 전극과 접촉되는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 양자점의 일부는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 중첩된 영역에 위치하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 광 기능 활성층은 상이한 밴드갭을 갖는 적어도 둘 이상의 양자점을 포함하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 광 기능 활성층은,제1 밴드갭을 갖는 제1 양자점; 및상기 제1 밴드갭보다 큰 제2 밴드갭을 갖고, 상기 제1 양자점과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 제2 양자점을 포함하는 광 센서
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7
제6항에 있어서,상기 제2 양자점의 상기 제2 밴드갭은 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 광 센서
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제6항에 있어서,상기 광 기능 활성층은,상기 제2 밴드갭보다 큰 제3 밴드갭을 갖고, 상기 제2 양자점과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 제3 양자점을 더 포함하고,상기 제3 양자점의 상기 제3 밴드갭은 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 광 센서
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9
제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 투명 전극으로 이루어진 광 센서
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10
기판;상기 기판 상에 배치되고, 제1 밴드갭을 갖는 제1 양자점과 상기 제1 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 산화물 반도체를 포함하는 제1 광 기능 활성층을 포함하는 제1 광 센서;상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 밴드갭보다 크고 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 제2 밴드갭을 갖는 제2 양자점과 상기 산화물 반도체를 포함하는 제2 광 기능 활성층을 포함하는 제2 광 센서; 및상기 기판 상에 배치되고, 상기 제2 밴드갭보다 크고 상기 산화물 반도체의 밴드갭보다 작은 제3 밴드갭을 갖는 제3 양자점과 상기 산화물 반도체를 포함하는 제3 광 기능 활성층을 포함하는 제3 광 센서를 포함하는 광 센싱 회로
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제10항에 있어서,상기 산화물 반도체의 일면에 적어도 하나의 전극이 배치되고, 상기 제1 양자점, 상기 제2 양자점 및 상기 제3 양자점은 상기 산화물 반도체에 의해 상기 전극과 이격되는 광 센싱 회로
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제11항에 있어서,상기 제1 양자점, 상기 제2 양자점 및 상기 제3 양자점 각각의 일부는 상기 산화물 반도체의 상기 일면에 배치된 상기 적어도 하나의 전극과 중첩된 영역에 위치하는 광 센싱 회로
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제10항에 있어서,상기 제1 광 센서, 상기 제2 광 센서 및 상기 제3 광 센서 각각은 절연층을 더 포함하고,상기 제1 양자점, 상기 제2 양자점 및 상기 제3 양자점은 상기 산화물 반도체와 상기 절연층 사이에 위치하는 광 센싱 회로
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제10항에 있어서,상기 제1 광 센서는 상기 제2 광 센서 및 상기 제3 광 센서 중 적어도 하나가 센싱 신호를 출력하는 기간에 센싱 신호를 출력하는 광 센싱 회로
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제10항에 있어서,상기 제2 광 센서는 상기 제3 광 센서가 센싱 신호를 출력하는 기간에 센싱 신호를 출력하는 광 센싱 회로
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 광 센서를 포함하는 전자 장치
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제16항에 있어서,내부에서 광을 발산하는 적어도 하나의 발광 소자를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 발광 소자가 턴-오프 된 기간 중 적어도 일부 기간에 상기 광 센서로 턴-오프 레벨의 전압이 공급되는 전자 장치
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