맞춤기술찾기

이전대상기술

3 차원 전자소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021016085
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시 예는, 평면 형태의 고분자 기판이 접혀서 형성된 다면체 형태의 고분자 프레임; 및 상기 고분자 프레임의 외부 표면에 위치하는 유연성 전자소자부를 포함하고, 상기 고분자 프레임은 인접면이 접하는 모서리부 및 상기 고분자 기판이 내부로 접혀 들어간 시접부를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자를 제공한다.
Int. CL H05K 1/02 (2006.01.01) H05K 1/03 (2006.01.01) H05K 1/16 (2006.01.01) H05K 3/32 (2006.01.01)
CPC H05K 1/0283(2013.01) H05K 1/0313(2013.01) H05K 1/0393(2013.01) H05K 1/16(2013.01) H05K 3/32(2013.01) H05K 2201/0145(2013.01) H05K 2201/0154(2013.01)
출원번호/일자 1020200061460 (2020.05.22)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0144300 (2021.11.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.05.22)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고흥조 광주광역시 북구
2 김기관 광주광역시 북구
3 김영민 광주광역시 북구
4 유성광 광주광역시 북구
5 장훈수 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0517566-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0144060-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0861037-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평면 형태의 고분자 기판이 접혀서 형성된 다면체 형태의 고분자 프레임; 및상기 고분자 프레임의 외부 표면에 위치하는 유연성 전자소자부를 포함하고,상기 고분자 프레임은 인접면이 접하는 모서리부 및 상기 고분자 기판이 내부로 접혀 들어간 시접부를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 전자소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 프레임은 상기 고분자 기판의 일 부분이 선택적으로 가소화되고, 상기 가소화 되는 부분이 접혀서 형성된 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 유연성 전자소자부는, 전자소자 및 회로패턴을 포함하고, 상기 고분자 프레임의 인접면에 위치하는 전자소자는 상기 회로패턴을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 기판 및 고분자 프레임은, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리우레탄, 폴리이스터, 폴리스타이렌, 폴리메틸실세스퀴옥산, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리아크릴로나이트릴, 폴리비닐리덴플로라이드, 폴리비닐클로라이드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리부타디엔테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 폴리이소시아누레이트, 폴리메틸실세스퀴옥산, 폴리페닐렌 설파이드 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 중 어느 하나 이상의 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자
5 5
유연성 전자소자부 및 고분자 기판을 준비하는 단계;상기 고분자 기판의 표면에 상기 유연성 전자소자부를 전사하는 단계;상기 유연성 전자소자부가 전사된 고분자 기판의 일 부분을 접어서 다면체 고분자 프레임을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 유연성 전자소자부를 전사하는 단계 및 상기 다면체 고분자 프레임을 형성하는 단계 사이에, 상기 유연성 전자소자부가 전사된 고분자 기판의 일 부분을 선택적으로 가소화하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 선택적으로 가소화 하는 단계는, 내부에 채널이 형성된 몰드를 상기 유연성 전자소자부가 전사된 고분자 기판의 표면에 접촉시키고, 상기 채널에 가소화 용매를 주입하여, 상기 가소화 용매와 상기 고분자 기판의 표면이 접촉된 부분을 가소화 시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 몰드는 과불화폴리에테르(perfluoropolyether, PFPE), 폴리우레탄(Poly urethane, PU), 폴리디메틸실옥산(polydimethylsiloxane, PDMS), 하이드로젤(PEG(Poly(ethylene glycol)), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, poly methyl methacrylate, PMMA)와 폴리아크릴로나이트릴(PAN, polyacrylonitrile, PAN), 폴리아크릴산(polyacrylic acid, PAA), 소다라임(sodalime), 쿼츠(quartz),금(Au), 은(Ag), 동(Au), 철(Fe), 알루미늄(Al), 이산화규소(SiO2), 산화철(Fe2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 하나 이상의 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 가소화 용매는 아세탈디하이드, 아세틱엑시드, 아세톤, 아세토나이트릴, 아세토페네디틴, 아세토페논, 아세틸아세톤, 아세틸클로라이드, 아세틸나이트라이드, 아세틸나이트릴, 아세틸로나이트릴, 알릴알콜, 알릴클로라이드, 아민, 암모니아, 암모늄플로라이드, 아밀아세테이트, 아밀클로라이드, 아닐린, 아닐린클로로하이드레이트, 아쿠아레지아, 아로마틱하이드로카본, 아스팔트, 벤잘데하이드, 벤젠, 벤젠설포닉엑시드, 벤질아세테이트, 벤질알콜, 벤질클로라이드, 브로마인, 부타디엔, 부탄, 뷰틸아세테이트, 뷰틸아크릴레이트, 뷰틸알콜, 뷰틸클로라이드, 뷰틸이써, 뷰틸페놀, 보론용매, 브로모폼, 브로모톨루엔, 부타디엔메톡시, 뷰틸프탈레이드, 뷰틸렌, 뷰틸릭엑시드, 칼슘비스설파이드, 칼슘클로라이드, 칼슘하이드로옥사이드, 칼슘하이포클로라이트, 캠퍼오일, 카본모노옥사이드 카본다이설파이드, 카본테트라클로라이드, 코스틱소다, 클로릭엑시드, 클로린, 클로로아세틱엑시드, 클로로벤젠, 클로로폼, 클로로설포닉엑시드, 클로미아룸, 크로믹엑시드, 카퍼사이나이드, 카퍼플루오보레이드, 크레오졸, 크레오실릭엑시드, 크레졸, 사이클로헥산, 사이클로헥사놀, 사이클로헥사논, 데카하이드로나프탈렌, 다이뷰티옥시에틸프탈레이드, 다이뷰틸프탈레이드, 다이클로로에탄, 다이클로로벤젠, 다이클로로에틸렌, 다이에틸이써, 다이에틸아민, 다이메틸아민, 다이메틸폼아미드, 다이옥틸프탈레이드, 이써, 에틸아세테이트, 에틸알콜, 에틸벤젠,, 에틸이써, 에틸렌클로라이드, 에틸렌클로로하이드린, 에틸렌다이아민, 에틸렌클리콜, 에틸렌옥사이드, 파티엑시드, 플로린가스, 포말데하이드, 포레온12, 퍼퓨릴알콜, 가솔린, 젤라틴, 글루코스, 글리세린, 헵탄, 하이드로브로믹엑시드, 하이드로클로릭엑시드, 하이드로사이아닉엑시드, 하이드로플루오릭엑시드, 하이드로젠퍼옥사이드, 하이드로젠설파이드, 아이오딘, 아이소뷰탄, 아이소프로필아세테이트, 아이소프로필알콜, 아이소프로필이써, 락틱엑시드, 라노린, 리드아세테이트, 린시드오일, 마그네슘클로라이드, 마그네슘설트, 머큐리설트, 메탄, 메틸아세테이트, 메틸알콜, 메틸아민, 메틸브로마이드, 메틸렌클로라이드, 메틸설퍼릭엑시드, 모르포린, 나프타, 나프탈렌, 니켈나이트레이트, 나이트릭엑시드, 니트로벤젠, 올릭엑시드, 올리브오일, 옥시즌가스, 오존, 팔미틱엑시드, 파라핀, 퍼클로릭엑시드, 퍼클로로에틸렌, 페트로레움, 페닐하이드라진, 포스젠가스, 포스젠용매, 포스퍼릭엑시드, 포스퍼우스트리클로라이드, 포스퍼우스옥시클로라이드, 포스퍼우스펜타클로라이드, 포타슘바이카보네이트, 포타슘보레이트, 포타슘브로메이트, 포타슘브로마이드, 포타슘카보네이트, 포타슘클로라이드, 포타슘사이아나이드, 포타슘페리사이나이드, 포타슘퍼클로레이트, 포타슘퍼만가네이트, 포타슘퍼설페이트, 포타슘설페이트, 프로판, 프로파놀, 프로파글리알콜, 프로피오닉엑시드, 프로필알콜, 프로필렌옥사이드, 피리딘, 실리콘오일, 실버나이트레이트, 소듐아세테이트, 소듐벤죠에이트, 소듐바이카보네이트, 소듐바이설페이트, 소듐바이설파이트, 소듐클로레이트, 소듐클로라이드, 소듐크로메이트, 소듐페로사이나이드, 소듐하이포클로라이트, 소듐아이오딘, 소듐옥살레이트, 소듐포스페이트, 소듐설파이드, 스테네우스클로라이드, 스터릭엑시드, 설퍼다이옥사이드, 설퍼릭엑시드, 설퍼우스엑시드, 타르타릭엑시드, 테트라클로로에탄, 테트라에틸리드, 테트라하이드로퓨란, 티오닐클로라이드, 톨루엔, 트랜스포머오일, 트리클로로아세틱엑시드, 트리클로로에틸렌, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 투르펜틴, 우레아, 우릭엑시드, 바세린, 비닐아세테이트, 물, 자일렌, 진크설트 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 3 차원 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 광주과학기술원 중견연구 프레임워크 몰픽 기술을 통한 베젤리스 입체형 이미지 센서 개발