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1
내부에 구비되는 격벽으로 제1아크 영역과 제2아크 영역을 구획하는 하우징;상기 격벽을 관통하여 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 걸쳐지며 제1유입구와 제2유입구를 각각 구비하고 내부에 고온 반응구간을 형성하여 가열된 반응물을 배출하는 배출구를 구비하는 고전압 전극;상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에서 상기 제1유입구와 상기 제2유입구를 향하여 구비되어 제1방전갭과 제2방전갭을 각각 형성하는 제1접지전극과 제2접지전극; 및상기 고전압 전극과 상기 제1접지전극 및 상기 제2접지전극에 3상의 교류 전력을 공급하는 전원 공급부을 포함하는 플라즈마 반응기
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| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 하우징을 관통하여 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 연결되는 제1가스 공급구와 제2가스 공급구로 가스를 개별적으로 공급하는 가스 공급부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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3
제2항에 있어서,상기 제1가스 공급구와 상기 제2가스 공급구는 상기 격벽 측에서 상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극 측으로 냉가스의 유동을 형성하도록 상기 격벽 가까이 양측에 형성되고,상기 제1방전갭과 상기 제2방전갭에서 형성되는 제1플라즈마 아크와 제2플라즈마 아크를 상기 제1유입구와 상기 제2유입구로 유입되게 하는플라즈마 반응기
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| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 하우징은 원통으로 형성되고,상기 제1가스 공급구 및 상기 제2가스 공급구는 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역의 내주면에 대하여 접선 방향으로 형성되어 가스를 회전 공급하는플라즈마 반응기
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5
제4항에 있어서,상기 고전압 전극은 원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1유입구와 상기 제2유입구는 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 각각 배치되는플라즈마 반응기
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6
제3항에 있어서,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 돌출되어 최소갭을 형성하는 제1연결부와 제2연결부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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7
제6항에 있어서,상기 제1연결부와 상기 제2연결부는상기 제1유입구와 상기 제2유입구에서 후퇴하여 연결되는 플라즈마 반응기
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8
제7항에 있어서,상기 제1아크 영역은상기 제1접지전극과 상기 제1유입구 및 상기 제1연결부 사이에 설정되는 제1집중영역을 포함하고,상기 제2아크 영역은상기 제2접지전극과 상기 제2유입구 및 상기 제2연결부 사이에 설정되는 제2집중영역을 포함하는플라즈마 반응기
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9
제3항에 있어서,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 확장되어 최소갭을 상기 하우징의 내면과의 사이에 형성하는 제1확장부와 제2확장부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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10
제9항에 있어서,상기 제1아크 영역은상기 제1접지전극과 상기 제1유입구 및 상기 제1확장부 사이에 설정되는 제1집중영역을 포함하고,상기 제2아크 영역은상기 제2접지전극과 상기 제2유입구 및 상기 제2확장부 사이에 설정되는 제2집중영역을 포함하는 플라즈마 반응기
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11
제3항에 있어서,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 확장과 축소 변곡되어 변곡점과 최소갭을 상기 하우징의 내면과의 사이에 형성하는 제1확장축소부와 제2확장축소부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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12
제11항에 있어서,상기 제1아크 영역은상기 제1접지전극과 상기 제1유입구 및 상기 제1확장축소부 사이에 설정되고,상기 제2아크 영역은상기 제2접지전극과 상기 제2유입구 및 상기 제2확장축소부 사이에 설정되는 플라즈마 반응기
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13
제12항에 있어서,상기 제1아크 영역은 상기 제1접지전극과 상기 제1유입구 사이에 설정되는 제1집중영역을 포함하고,상기 제2아크 영역은 상기 제2접지전극과 상기 제2유입구 사이에 설정되는 제2집중영역을 포함하는 플라즈마 반응기
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14
제4항에 있어서,상기 고전압 전극은중간에서 최대 직경으로 형성되고 양단으로 가면서 직경이 감소되어 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 축소되어 상기 제1유입구와 상기 제2유입구에서 최소갭을 형성하는 제1축소부와 제2축소부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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15
제14항에 있어서,상기 제1아크 영역은상기 제1접지전극과 상기 제1유입구 및 상기 제1축소부 사이에 설정되는 제1집중영역을 포함하고,상기 제2아크 영역은상기 제2접지전극과 상기 제2유입구 및 상기 제2축소부 사이에 설정되는 제2집중영역을 포함하는플라즈마 반응기
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16
제1항에 있어서,상기 하우징은 원통부의 양측에서 제1접지전극에 제1원뿔대통으로 연결되고 제2접지전극에 제2원뿔대통으로 형성되고,상기 고전압 전극은 원통으로 형성되어 원통부 및 제1원뿔대통 및 제2원뿔대통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1유입구와 상기 제1원뿔대통의 내면 사이 및 상기 제2유입구와 상기 제2원뿔대통의 내면 사이에 최소갭을 형성하는 플라즈마 반응기
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17
제1항에 있어서,상기 하우징은 원통부의 제1접지전극 측에 제1축소확장부로 연결되고 제2접지전극 측에 제2축소확장부로 형성되고,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 상기 원통부 및 제1축소확장부 및 제2축소확장부의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1유입구와 상기 제1축소확장부의 변곡점 사이 및 상기 제2유입구와 상기 제2축소확장부의 변곡점 사이에 최소갭을 형성하는플라즈마 반응기
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18
제17항에 있어서,상기 제1아크 영역은 상기 제1접지전극과 상기 제1유입구 사이에 설정되는 제1집중영역을 포함하고,상기 제2아크 영역은 상기 제2접지전극과 상기 제2유입구 사이에 설정되는 제2집중영역을 포함하는플라즈마 반응기
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길이 방향의 중앙에 구비되는 격벽으로 제1아크 영역과 제2아크 영역을 구획하는 하우징;상기 격벽을 관통하여 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 걸쳐지며 양단에 제1유입구와 제2유입구를 각각 구비하고 중앙에 배출구를 구비하여 상기 하우징 밖으로 인출되는 고전압 전극;상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 연결되는 제1가스 공급구와 제2가스 공급구를 상기 격벽의 양측에 구비하여 가스를 상기 하우징의 길이 방향 중앙에서 상기 고전압 전극의 외면으로 개별적으로 공급하는 가스 공급부;상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에서 상기 하우징의 길이 방향 양측에 구비되어 상기 제1유입구와 제1방전갭을 형성하고 상기 제2유입구와 제2방전갭을 형성하는 제1접지전극과 제2접지전극; 및상기 고전압 전극과 상기 제1접지전극 및 상기 제2접지전극에 3상의 교류 전력을 공급하는 전원 공급부를 포함하며,가스는 상기 하우징의 중앙에서 양측으로 공급되어 상기 고전압 전극과 상기 제1접지전극 및 상기 제2접지전극 사이에서 발생되는 플라즈마 아크를 상기 제1유입구와 상기 제2유입구로 유입하여 상기 고전압 전극의 내부에서 고온의 반응구간을 형성하여 가열된 반응물을 중앙에 배치되는 배출구로 배출하는플라즈마 반응기
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20
제19항에 있어서,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 돌출되어 플라즈마 아크를 모으는 제1연결부와 제2연결부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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21
제19항에 있어서,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 확장되어 플라즈마 아크를 이동시켜 방전을 유지하는 제1확장부와 제2확장부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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22
제19항에 있어서,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1접지전극과 상기 제2접지전극을 향하여 확장과 축소 변곡되어 축소된 영역으로 플라즈마 아크를 집중하는 제1확장축소부와 제2확장축소부를 더 포함하는 플라즈마 반응기
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제19항에 있어서,상기 하우징은 원통부의 양측에서 제1접지전극에 제1원뿔대통으로 연결되고 제2접지전극에 제2원뿔대통으로 형성되고,상기 고전압 전극은 원통으로 형성되어 원통부 및 제1원뿔대통 및 제2원뿔대통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되어,서로 대응하는 상기 제1유입구와 상기 제1원뿔대통의 내면 영역 및 서로 대응하는 상기 제2유입구와 상기 제2원뿔대통의 내면 영역으로 플라즈마 아크를 집중시키는 플라즈마 반응기
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제19항에 있어서,상기 하우징은 원통부의 제1접지전극 측에 제1축소확장부로 연결되고 제2접지전극 측에 제2축소확장부로 형성되고,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 상기 원통부 및 제1축소확장부 및 제2축소확장부의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,서로 대응하는 상기 제1유입구와 상기 제1축소확장부의 변곡점 사이 영역 및 상기 제2유입구와 상기 제2축소확장부의 변곡점 사이 영역으로 플라즈마 아크를 집중시키는플라즈마 반응기
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내부에 구비되는 격벽으로 제1아크 영역과 제2아크 영역을 구획하는 하우징;상기 격벽을 관통하여 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 걸쳐지며 제1유입구와 제2유입구를 각각 구비하고 내부에 고온의 반응구간을 형성하여 가열된 반응물을 배출하는 배출구를 구비하는 고전압 전극;상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 연결되는 제1가스 공급구와 제2가스 공급구로 과불화합물 가스를 개별적으로 공급하는 가스 공급부;상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에서 상기 제1유입구와 상기 제2유입구를 향하여 구비되어 제1방전갭과 제2방전갭을 각각 형성하는 제1접지전극과 제2접지전극; 및상기 고전압 전극과 상기 제1접지전극 및 상기 제2접지전극에 3상의 교류 전력을 공급하는 전원 공급부를 포함하며,상기 고전압 전극은원통으로 형성되어 원통의 중심을 연결하는 상기 하우징의 중심에 배치되고,상기 제1유입구를 향하여 물을 공급하는 제1물공급라인 및 상기 제2유입구를 향하여 물을 공급하는 제2물공급라인을 포함하는 과불화합물 제거용 스크러버
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제25항에 있어서,상기 고전압 전극은상기 고온 반응구간에 촉매를 더 구비하는 과불화합물 제거용 스크러버
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내부에 구비되는 격벽으로 제1아크 영역과 제2아크 영역을 구획하는 하우징;상기 격벽을 관통하여 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 걸쳐지며 제1유입구와 제2유입구를 각각 구비하고 내부에 고온 반응구간을 형성하여 가열된 반응물을 배출하는 배출구를 구비하는 접지전극;상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에서 상기 제1유입구와 상기 제2유입구를 향하여 구비되어 제1방전갭과 제2방전갭을 각각 형성하는 제1전압 전극과 제2전압 전극; 및상기 접지전극과 상기 제1전압 전극 및 상기 제2전압 전극에 바이폴라 전력을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 플라즈마 반응기
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제27항에 있어서,상기 전원 공급부는대칭되는 양의 전압과 음의 전압을 동시에 생성하여 제1전원선을 통하여 제1전압 전극 및 제2전원선을 통하여 제2전압 전극에 각각 공급하여 공통의 접지전극에 대한 각각의 전위차를 발생하여 상기 제1아크 영역과 상기 제2아크 영역에 방전을 동시에 일어나게 하는 플라즈마 반응기
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