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서로 대향하게 배치된 제1 전극과 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 황화주석(SnS)으로 형성된 광흡수층;상기 광흡수층과 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 상기 광흡수층과 접촉하여 p-n 접합을 형성하는 제1 버퍼층; 및 상기 제1 버퍼층과 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 결정질 아연산화물상 및 비정질 마그네슘산화물상을 구비하는 아연-마그네슘 산화물로 형성된 제2 버퍼층을 포함하고, 상기 아연-마그네슘 산화물에서, 아연 원소(Zn)와 마그네슘 원소(Mg)의 전체 수에 대한 상기 마그네슘 원소 수의 비율은 0
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서로 대향하게 배치된 제1 전극과 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 황화주석(SnS)으로 형성된 광흡수층;상기 광흡수층과 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 상기 광흡수층과 접촉하여 p-n 접합을 형성하는 제1 버퍼층; 및 상기 제1 버퍼층과 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 결정질 아연산화물상 및 비정질 마그네슘산화물상을 구비하는 아연-마그네슘 산화물로 형성된 제2 버퍼층을 포함하고,상기 아연-마그네슘 산화물은 상기 제1 버퍼층의 재료보다 큰 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 카드뮴황화물(CdS), 아연황화물(ZnS), 아연산화물(ZnO), 아연황산화물(Zn(O,S)) 및 아연카드뮴황화물(ZnCdS)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지
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제2항에 있어서,상기 비율은 0
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제1항에 있어서,상기 아연-마그네슘 산화물은 상기 제1 버퍼층의 재료보다 큰 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지
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제2항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 황화카드뮴(CdS)으로 형성되고, 상기 제2 버퍼층은 3
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기판 상에 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 납(Pb), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 니오븀(Nb)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 금속으로 이루어진 애노드 전극을 형성하는 제1 단계;상기 애노드 전극 상에 황화주석(SnS)으로 형성된 광흡수층을 형성하는 제2 단계;상기 광흡수층 상에 카드뮴황화물(CdS), 아연황화물(ZnS), 아연산화물(ZnO), 아연황산화물(Zn(O,S)) 및 아연카드뮴황화물(ZnCdS)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 형성된 제1 버퍼층을 형성하는 제3 단계;상기 제1 버퍼층 상에 산화아연(ZnO) 타겟 및 산화마그네슘(MgO) 타겟을 이용한 RF-코스퍼터링 공정을 통해 아연-마그네슘 산화물로 이루어진 제2 버퍼층을 형성하는 제4 단계; 및 상기 제2 버퍼층 상에 투명 전도성 산화물로 형성된 캐소드 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하고, 상기 제4 단계에 있어서, 상기 산화마그네슘(MgO) 타겟에 인가되는 RF-전력은 상기 산화아연(ZnO) 타겟에 인가되는 RF-전력의 35% 이상 135% 이하인 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제4 단계에서 결정질 산화아연상과 비정질 산화마그네슘상으로 이루어지고, 아연 원소(Zn)와 마그네슘 원소(Mg)의 전체 수에 대한 상기 마그네슘 원소 수의 비율은 0
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