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입력단을 통해 수신된 RF신호(이하, ‘수신신호’라 칭함)의 전력레벨을 증폭시키기 위한 증폭단을 포함하는 저잡음 증폭기(low noise amplifier; LNA)로서,전단에 상기 수신신호의 잡음지수(noise figure)를 낮추기 위한 매칭 네트워크(Matching network); 를 포함하고,상기 매칭 네트워크는, 정전기 보호를 위한 ESD(electrostatic discharge) 보호단; 상기 수신신호에 포함된 DC 신호를 필터링하는 DC-블록단; 및 상기 증폭단을 구성하는 복수의 트랜지스터 중 적어도 어느 하나의 트랜지스터에 접속된 기생성분(이하, ‘트랜지스터 기생성분’이라 칭함); 을 포함하고,상기 매칭 네트워크는, 상기 저잡음 증폭기의 동작 주파수 대역에 따라 입력 매칭에 요구되는 인덕터 성분을 제거하도록 상기 트랜지스터 폭에 따라 상이한 값을 가지는 트랜지스터 기생성분을 통해 입력 임피던스 매칭 및 노이즈 매칭을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는트랜지스터 기생성분 매칭을 이용한 저잡음 증폭기
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터는, FET(field-effect transistor)이며,상기 트랜지스터 기생성분은, 트랜지스터의 gate와 source 사이에 접속된 기생 커패시턴스 및 기생 저항 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는트랜지스터 기생성분 매칭을 이용한 저잡음 증폭기
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제2항에 있어서,상기 매칭 네트워크는, 상기 트랜지스터의 source에 접속되어, 입력 매칭 포인트와 잡음 매칭 포인트를 조정하는 퇴화 인덕터(degeneration inductor); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는트랜지스터 기생성분 매칭을 이용한 저잡음 증폭기
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제3항에 있어서,상기 증폭단을 구성하는 복수의 트랜지스터는, 캐스코드(cascode) 구조로 마련되는 것을 특징으로 하는트랜지스터 기생성분 매칭을 이용한 저잡음 증폭기
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제1항에 있어서,상기 증폭단을 구성하는 복수의 트랜지스터 각각이 common source(CS) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기생성분 매칭을 이용한 저잡음 증폭기
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제4항 또는 제5항에 있어서, n개(이때, n은 자연수)의 증폭단이 결합되되, 전단에 위치한 1-stage 에 상기 매칭 네트워크가 구비되는 캐스케이드(cascade) 구조의 n-stage CMOS 저잡음 증폭기인 것을 특징으로 하는트랜지스터 기생성분 매칭을 이용한 저잡음 증폭기
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