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촉매금속층; 및상기 촉매금속층 일 면에 성장된 그래핀층;을 포함하는 적층 구조가 하기 관계식 1을 만족하는 범위 내에서 순차적으로 반복 적층되며, 상기 촉매금속층 및 상기 그래핀층은 동일한 장비 내에서 in-situ로 형성되며, 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(FTS)과 플라즈마보조 열 화학기상증착(PATCVD)을 반복하여 적층된 결과, 상기 그래핀 적층체의 면 저항이 하기 관계식 2를 만족하는 범위 내에서 반복 적층되고, 상기 그래핀층이 3 내지 4층 적층하였을 때 투명도가 90% 이상인 것을 특징으로 하는, 다층 그래핀 적층체
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제 1항에 있어서,상기 관계식 1은 Rn/R1 ≤ 0
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 적층체의 홀 모빌리티가 하기 관계식 3을 만족하는 범위 내에서 반복 적층되는 다층 그래핀 적층체
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 적층체의 디락점이 1
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제 1항에 있어서,상기 적층 구조가 3회 이상 5회 미만으로 반복 적층되는 다층 그래핀 적층체
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제 6항에 있어서,상기 반복되어 형성된 그래핀 적층체의 면 저항 Rn이 8Ω/□ 이하인 다층 그래핀 적층체
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제 1항에 있어서,다층 그래핀 적층체는 하기 관계식 4를 만족하는 범위 내에서 반복되어 적층되는 다층 그래핀 적층체
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제 8항에 있어서,상기 투명도는 하기 관계식 5를 만족하는 범위 내에서 선형적으로 감소하는 다층 그래핀 적층체
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제 9항에 있어서,상기 4회 이상 반복되어 형성된 그래핀 적층체의 투명도 T4가 90% 이상인 다층 그래핀 적층체
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제 1항에 있어서, 상기 촉매금속층은,티타늄(Ti), 구리(Cu), 백금(Pt), 동(brass), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 지르코늄(Zr),텅스텐(W), 우라늄(U), 금(Au), 은(Ag), 청동(bronze), 망간(Mn), 로듐(Rh), 탄탈륨(Ta), 이리듐(Ir), 황(S), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 철(Fe), 스테인레스 스틸(stainless steel), 루테늄(Ru), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 다층 그래핀 적층체
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제 1항에 있어서,상기 그래핀층이 산소에 의해 자의적으로 도핑되어 P-type 성질을 갖는, 다층 그래핀 적층체
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제 1항, 제 2항 및 제4 항 내지 제 12항에서 선택되는 어느 한 항의 다층 그래핀 적층체를 포함하는 전자 소자
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a)촉매금속층을 형성하는 단계; b)상기 촉매금속층 일 면에 그래핀층을 성장시키는 단계; 및c) 상기 a)단계 및 b)단계를 2회 이상 반복하여 상기 촉매금속층과 상기 그래핀층이 순차적으로 적층되는 단계를 포함하며, 상기 c) 단계에서 촉매금속층은 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(FTS) 방법으로 형성하며, 상기 촉매금속층 및 상기 그래핀층은 동일한 장비 내에서 in-situ로 형성되며, 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(FTS)과 플라즈마보조 열 화학기상증착(PATCVD)을 반복하여 적층된 결과, 상기 그래핀 적층체의 면 저항이 하기 관계식 2를 만족하는 범위 내에서 반복 적층되고, 상기 그래핀층이 3 내지 4층 적층하였을 때 투명도가 90% 이상인 것을 특징으로 하는, 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 a) 단계에서 촉매금속층은 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(FTS) 방법으로 형성하는 방법으로 형성하는, 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 b) 단계 및 c) 단계에서의 그래핀층은 플라즈마보조 열 화학기상증착(plasma-assisted thermal chemical vapor deposition; PATCVD), 플라즈마보조 화학기상증착(Plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 고온 화학기상증착(Rapid thermal chemical vapor deposition; RTCVD), 상압 화학기상증착(Atmospheric pressure chemical vapor deposition; APCVD), 원자층증착(Atomic layer deposition; ALD), 플라즈마보조 원자층증착(Plasma enhanced atomic layer deposition; PEALD), 저압 화학기상증착(Low pressure chemical vapor deposition; LPCVD), 금속 유기화학기상증착(Metal organic chemical vapor deposition; MOCVD) 및 유도결합플라즈마 화학기상증착(Inductively coupled plasma-chemical vapor deposition; ICP-CVD) 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 c) 단계에서 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(FTS)은 촉매금속층 형성을 위한 한 쌍의 대향 타겟과 그래핀층 형성을 위한 한 쌍의 대향 타겟을 가지며,상기 촉매금속층 형성을 위한 타겟과 그래핀층 형성을 위한 타겟은 동일 평면상에 위치하는 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서,제3 청구항의 관계식 3을 만족하는 범위 내에서 반복하며 적층되는 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 b)단계는 100 내지 200℃에서 수행되는 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 a) 및 b)단계는 동일한 장비 내에서 in-situ로 수행되는 다층 그래핀 적층체 제조방법
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제 15항에 있어서,c)상기 그래핀층에 산소가 흡착되어 자의적으로 P-type 도핑되는 단계를 더 포함하는 다층 그래핀 적층체 제조방법
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