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광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR(optical signal-to-noise ratio) 분석 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2022000287
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시 예에 따른 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법은, 프로세서의 제어 하에 광신호의 경로(Ps)에 대한 유효성을 검사하고, 검사된 상기 광신호 경로를 광신호 경로의 후보군으로 설정하는 단계; 설정된 상기 광신호 경로의 후보군 각각을 선택하고, 선택된 상기 광신호 경로의 후보군 중에서 누화 잡음이 발생하는 누화잡음 경로(Px)를 탐색하는 단계; 및 탐색된 상기 누화잡음 경로와 상기 광신호 경로의 후보군에서 OSNR(optical signal-to-noise ratio)이 가장 작은 상기 광신호 경로를 이용하여, 최악의 OSNR을 산출하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H04B 10/079 (2013.01.01) H04Q 11/00 (2006.01.01) H04L 12/933 (2013.01.01)
CPC H04B 10/07953(2013.01) H04Q 11/0005(2013.01) H04L 49/109(2013.01)
출원번호/일자 1020200137167 (2020.10.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2346028-0000 (2021.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한태희 서울특별시 강남구
2 김용욱 경기도 수원시 장안구
3 강주연 경기도 수원시 팔달구
4 이영식 경기도 군포시 고산로 ***-**, **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길**, *층(대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1118325-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.03.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0193458-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0827610-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1480099-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-1480100-34
7 등록결정서
Decision to grant
2021.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-1009430-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법에 있어서,프로세서의 제어 하에 광신호의 경로(Ps)에 대한 유효성을 검사하고, 검사된 상기 광신호 경로를 광신호 경로의 후보군으로 설정하는 단계;설정된 상기 광신호 경로의 후보군 각각을 선택하되 광 신호의 특성을 고려하여 설정된 탐색 조건을 통해 미리 특정 탐색 범위를 가진 후보군을 결정하고, 선택된 상기 광신호 경로의 후보군 중에서 누화 잡음이 발생하는 누화잡음 경로(Px)를 탐색하되 상기 탐색 조건의 만족 여부에 따라 탐색 범위 또는 탐색 종료를 결정하는 단계; 및 탐색된 상기 누화잡음 경로와 상기 광신호 경로의 후보군에서 OSNR(optical signal-to-noise ratio)이 가장 작은 상기 광신호 경로를 이용하여, 최악의 OSNR을 산출하는 단계;를 포함하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 탐색 단계는,설정된 기준 누화잡음보다 높은 경우에 상기 누화잡음 경로를 탐색하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 탐색 단계는,상기 설정된 기준 누화잡음의 임계값에 따라 탐색 조건을 달리하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 탐색 조건은,상기 광신호 경로와 상기 누화잡음 경로가 교차하는 라우터로부터 인접한 라우터에서 출발하는 광신호 경로를 우선적으로 탐색하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
5 5
제3 항에 있어서,상기 탐색 조건은,상기 광신호 경로와 상기 누화잡음 경로가 교차하는 라우터로부터 상기 광신호 경로의 목적지가 가까운 상기 누화잡음 경로를 우선적으로 탐색하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
6 6
제3 항에 있어서,상기 탐색 조건은,상기 광신호 경로와 교차할 때까지 더 적은 수의 드랍 상태의 MR(micro-ring resonator)을 지나는 상기 누화잡음 경로를 우선적으로 탐색하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
7 7
제3 항에 있어서,상기 탐색 조건은,동일한 누화잡음을 가지는 복수의 상기 누화잡음 경로 중 더 적은 수의 라우터를 통과하는 상기 누화잡음 경로를 최악의 경우로 선정하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
8 8
제3 항에 있어서,상기 탐색 조건은,상기 누화잡음 경로 중 상기 누화잡음이 상기 설정된 기준 누화잡음의 임계값 이상일 경우 탐색을 종료하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
9 9
제3 항에 있어서,상기 탐색 조건은,탐색가능한 상기 누화잡음 경로가 없을 경우, 탐색을 종료하는 것을 특징으로 하는 광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR 분석 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 차세대지능형반도체기술개발 차세대 메모리를 위한 개방형 융합 메모리 솔루션 및 플랫폼 개발
2 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 소재부품산업미래성장동력(R&D) 상변화 메모리 기반 인 스토리지 프로세싱 아키텍처의 시스템 수준 설계 및 검증 기술 개발
3 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 정보통신방송혁신인재양성(R&D) 인공지능대학원지원(성균관대학교)