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제1 입력 단자에 입력전압(VIN)이 연결되고 제2 입력 단자에 공통전압(VCOM)이 연결되며 출력단자를 통해 전하증폭기 출력신호(CSA_OUT)를 출력하는 연산증폭기;상기 제1 입력단자와 상기 출력단자 사이에 연결된 피드백 커패시터; 및 상기 제1 입력단자와 상기 출력단자 사이에서 상기 피드백 커패시터에 병렬로 연결된 피드백 모스트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하증폭기
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제1 항에 있어서, 상기 피드백 모스트랜지스터는 전류 바이어스 회로에서 생성된 바이어스 직류전류가 게이트에 인가되는 것을 특징으로 하는 전하증폭기
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제2 항에 있어서, 상기 전류 바이어스 회로는제1 단자가 공급전압(VDD)에 연결된 정전류원;제1 단자가 상기 정전류원의 제2 단자에 연결되고 제2 단자는 접지되며 제1단자와 게이트 단자가 공통으로 연결된 제1 엔모스 트랜지스터;게이트가 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 게이트에 연결되며 제1단자가 접지된 제2 엔모스 트랜지스터;제1 단자가 공통전압(VCOM)에 연결되며, 제2 단자가 상기 제2 엔모스 트랜지스터의 제2 단자에 연결되며, 상기 제2 단자와 게이트 단자가 공통으로 연결된 제3 피모스 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하증폭기
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제3 항에 있어서,상기 제3 피모스 트랜지스터의 제2 단자 및 게이트 단자에는 상기 바이어스 직류전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 전하증폭기
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제3 항에 있어서, 상기 제3 피모스 트랜지스터와 상기 피드백 모스트랜지스터는 커런트 미러 형태로 동작하는 것을 특징으로 하는 전하증폭기
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제1 항 내지 제5 항 중 어느 하나의 항에 따른 전하증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제6 항에 있어서,상기 전하증폭기 출력신호(CSA_OUT)를 버퍼링하여 전압 팔로워 출력신호(VF_OUT)를 출력하는 전압 팔로워;상기 전압팔로워 출력신호(VF_OUT)와 상기 공통전압(VCOM)을 입력받아 미분기 출력신호(DIFF_OUT)를 출력하는 미분기;상기 미분기 출력신호(DIFF_OUT)와 상기 공통전압(VCOM)을 입력받아 적분기 출력신호(INT_OUT)를 출력하는 적분기; 및상기 적분기 출력신호(INT_OUT)와 스레시홀드 전압(VTHR_PS)을 비교하여 처리하는 비교기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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제7 항에 있어서, 상기 방사선 센서는니켈 동위원소(Ni-63)을 이용한 베타선 센서인 것을 특징으로 하는 방사선 센서
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