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(a) 불순물을 포함하는 미정제 탄소나노튜브를 이온성 액체에 분산시켜 분산용액을 제조하는 단계;(b) 상기 분산용액에 초음파를 조사하는 단계; 및 (c) 상기 초음파가 조사된 분산용액으로부터 상기 불순물이 분리된 고순도 탄소나노튜브를 수득하는 단계;를포함하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체가 지방족계 이온성 액체, 이미다졸륨계 이온성 액체 및 피리디늄계 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제2항에 있어서,상기 이온성 액체가 이미다졸륨계 이온성 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제3항에 있어서,상기 이미다졸륨계 이온성 액체가 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate: BMIM-BF4), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-Butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate: BMIM-PF6), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐) 이미드(1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide: BMIM-TFSI), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate: EMIM-BF4), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메틸설포닐) 이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide: EMIM-TFSI), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리시아노메타나이드(1-Ethyl-3-methylimidazolium Tricyanomethanide: EMIM-TCM), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라시아노보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetracyanoborate: EMIM-TCB), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 메틸 설페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium methyl sulfate: EMIM-SO4), 디에틸메틸(2-메톡시에틸)암모늄 테트라프루오로보레이트(diethylmethyl(2-methoxyethyl)ammonium tetrafluoroborate: DMIM-BF4), 디에틸메틸(2-메톡시에틸)암모늄 비스(트리플루오로메틸설포닐) 이미드)(diethylmethyl(2-methoxyethyl)ammonium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide): DMIM-TFSI), 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오르메틸 술포닐)이미드(1-Octyl-3-methylimidazorium bis(trifluoromethyl sulfonyl)imide: OMIM-TFSI)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제4항에 있어서,상기 이미다졸륨계 이온성 액체가 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate: BMIM-BF4), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-Butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate: BMIM-PF6), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐) 이미드(1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide: BMIM-TFSI)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서, 상기 미정제 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 또는 다중벽 탄소나노튜브로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서,상기 불순물이 금속, 비정질 탄소, 흑연, 탄소 나노입자 및 할로겐 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제7항에 있어서,상기 금속이 Ni, Co, Cu, Fe, Mg, Pd, Al, Si, 이들의 혼합물 및 이들의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서, 단계 (b)가 상기 분산용액에 초음파를 조사하여 상기 미정제 탄소나노튜브에 포함된 상기 불순물을 분리시키는 단계;인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서, 단계 (b)에서 상기 초음파를 0
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제1항에 있어서, 단계 (b)에서 상기 초음파를 10 내지 150 kHz의 주파수에서 조사하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서, 단계 (b)에서 상기 초음파를 10 내지 300 W의 세기로 조사하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서,단계 (c)가 상기 초음파가 조사된 분산용액을 원심분리 또는 필터링하여 상기 초음파가 조사된 분산용액으로부터 상기 불순물이 분리된 고순도 탄소나노튜브를 수득하는 단계;인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서,단계 (c)가(c-1) 상기 초음파가 조사된 분산용액에 세정용매를 혼합하여 세정된 분산용액을 제조하는 단계;(c-2) 상기 세정된 분산용액을 필터링하여 상기 세정된 분산용액으로부터 상기 불순물이 분리된 고순도 탄소나노튜브를 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제14항에 있어서,단계 (c-2)에서 상기 필터링이 진공상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제14항에 있어서,상기 세정용매가 아세톤, 알코올, 에탄올, 이소프로필알코올(IPA) 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항에 있어서,단계 (c) 이후에,상기 고순도 탄소나노튜브를 건조하는 단계 (d);를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제17항에 있어서,단계 (d)에서 상기 건조가 50 내지 300℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제방법
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제1항의 탄소나노튜브의 정제방법에 따라 제조된 고순도 탄소나노튜브
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제19항의 고순도 탄소나노튜브를 포함하고,터치스크린용 전극, 수퍼캐퍼시터용 전극, 이차전지용 양극, 수소저장소자, 및 센서로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 전자소자
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