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원자층 증착법을 이용하여 다공성 템플릿(template)의 공극(pore)에 나노튜브(nano-tube)를 증착한 후, 상기 다공성 템플릿(template) 상에 전기 도금법을 이용하여 상기 나노튜브(nano-tube) 내 루테늄(Ru)을 환원시켜 형성되고, 어닐링(annealing)을 통해 결정립(crystal grain)의 크기가 제어되는루테늄 나노선
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제1항에 있어서,상기 나노튜브(nano-tube)는 상기 공극(pore)에 5 nm 내지 30 nm 두께의 실리카(SiO2)를 증착하여 실리카 나노튜브로 형성되는루테늄 나노선
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제1항에 있어서,상기 다공성 템플릿(template)은 폴리카보네트 멤브레인(polycarbonate membrane, PCM) 및 양극산화알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO) 멤브레인 중 어느 하나를 포함하는루테늄 나노선
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제1항에 있어서,상기 어닐링(annealing)은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는루테늄 나노선
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제4항에 있어서,상기 결정립(crystal grain)의 크기는 400℃ 내지 500℃의 온도에서 9 nm 내지 12 nm의 결정 성장에 기반한 크기로 제어되거나 600℃의 온도 이상에서 55 nm의 결정 성장에 기반한 크기로 제어되는루테늄 나노선
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원자층 증착법을 이용하여 다공성 템플릿(template)의 공극(pore)에 나노튜브(nano-tube)를 증착하여 반도체 장비 유사 구조를 형성한 후, 상기 다공성 템플릿(template) 상에 전기 도금법을 이용하여 상기 나노튜브(nano-tube) 내 루테늄(Ru)을 환원시켜 10 nm 급의 직경을 갖도록 형성된루테늄 나노선
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제6항에 있어서,반도체 소자의 BEOL(back end of line) 층에 구비된 비아(via), 컨택(contact) 및 금속 배선층(metal line) 중 금속 배선층 또는 구비된 모든 층(비아, 컨택, 금속 배선층)을 대체할 수 있는 전기도금법으로 합성된루테늄 나노선
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원자층 증착법을 이용하여 다공성 템플릿(template)의 공극(pore)에 나노튜브(nano-tube)를 증착한 후, 상기 다공성 템플릿(template) 상에 전기 도금법을 이용하여 코발트(Co)의 함량에 따라 결정 구조가 제어되며, 어닐링(annealing)을 통해 전기 비저항이 감소되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제8항에 있어서,상기 어닐링(annealing)을 통해 루테늄(Ru)-코발트(Co) 전율 고용체(complete solid solution)가 형성되어 상기 전기 비저항이 감소되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제9항에 있어서,상기 전율 고용체(complete solid solution)는 상기 어닐링(annealing) 후 상기 코발트(Co)가 루테늄(Ru) 매트릭스(matrix) 안으로 이동하여 형성되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제8항에 있어서,상기 어닐링(annealing)은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제8항에 있어서,상기 코발트(Co)의 함량은 1 at% 내지 96 at% 중 어느 하나로 결정되고,상기 코발트(Co)의 함량이 1 at% 내지 48 at%인 경우, 상기 결정 구조는 비정질 유사 구조(amorphous-like structure)로 제어되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제12항에 있어서,상기 코발트(Co)의 함량이 증가될 경우, 결정립(crystal grain)의 크기가 증가되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제8항에 있어서,상기 코발트(Co)의 전구체 농도 및 전류 밀도(current density) 중 적어도 하나를 조절하여 상기 코발트(Co)의 함량이 제어되는루테늄-코발트 합금 나노선
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제8항에 있어서,반도체 소자의 BEOL(back end of line) 층에 구비된 비아(via), 컨택(contact) 및 금속 배선층(metal line) 중 적어도 하나에 배리어(barrier) 및 라이너(liner) 중 적어도 하나로 적용되는 루테늄-코발트 합금 나노선
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원자층 증착법을 이용하여 공극(pore)에 나노튜브(nano-tube)가 증착된 다공성 템플릿(template) 상에 전기 도금법을 이용하여 루테늄 나노선을 형성하는 단계;상기 형성된 루테늄 나노선을 어닐링하는 단계를 포함하고,상기 어닐링하는 단계는, 상기 형성된 루테늄 나노선의 결정립(crystal grain)의 크기를 제어하는 단계를 포함하는루테늄 나노선의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는,상기 어닐링을 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행하여, 상기 결정립(crystal grain)의 크기를 400℃ 내지 500℃의 온도에서 9 nm 내지 12 nm의 결정 성장에 기반한 크기로 제어하고, 600℃의 온도 이상에서 55 nm의 결정 성장에 기반한 크기로 제어하는 단계를 포함하는루테늄 나노선의 제조 방법
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원자층 증착법을 이용하여 다공성 템플릿(template)의 공극(pore)에 나노튜브(nano-tube)를 증착한 후, 상기 다공성 템플릿(template) 상에 전기 도금법을 이용하여 루테늄-코발트 합금 나노선을 형성하는 단계; 및상기 형성된 루테늄-코발트 합금 나노선을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하고,상기 루테늄-코발트 합금 나노선을 형성하는 단계는,코발트(Co)의 함량에 따라 상기 루테늄-코발트 합금 나노선의 결정 구조를 제어하는 단계를 포함하는루테늄-코발트 합금 나노선의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 형성된 루테늄-코발트 합금 나노선을 어닐링하는 단계는,상기 어닐링(annealing)을 통해 루테늄(Ru)-코발트(Co) 전율 고용체(complete solid solution)를 형성하여 전기 비저항을 감소시키는 단계를 포함하는루테늄-코발트 합금 나노선의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 루테늄-코발트 합금 나노선을 형성하는 단계는,상기 코발트(Co)의 함량을 1 at% 내지 96 at% 중 어느 하나로 결정하여, 상기 코발트(Co)의 함량이 1 at% 내지 48 at%인 경우, 상기 결정 구조를 비정질 유사 구조(amorphous-like structure)로 제어하는 단계를 포함하는루테늄-코발트 합금 나노선의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 루테늄-코발트 합금 나노선을 형성하는 단계는,류테늄과 상기 코발트의 동시 환원을 위해 1
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제18항에 있어서,상기 루테늄-코발트 합금 나노선을 형성하는 단계는,상기 코발트(Co)의 전구체 농도 및 전류 밀도(current density) 중 적어도 하나를 조절하여 상기 코발트(Co)의 함량이 제어하는 단계를 포함하는루테늄-코발트 합금 나노선의 제조 방법
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