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유전상수가 10 이상인 비정질 탄화수소로 이루어진 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 1 항에 있어서,상기 고유전막의 누설전류는 1 A/㎠ 이하이고, 절연강도는 1 MV/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 고유전막의 rms 표면거칠기가 20 nm 이하인 것을 특징으로 하는 고유전막
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(A) 플라즈마 반응기 내에 기판을 위치시키는 단계;(B) 상기 반응기 내에 탄화수소 가스를 포함하는 제1가스 및 수소 가스를 포함하는 제2가스를 주입하는 단계; 및(C) 상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하여 탄화수소 박막을 성장시키며,이때 상기 탄화수소 박막이 유전상수가 10 이상인 탄화수소 박막이 되도록 반응기의 온도, 압력, 제1가스의 유량, 제2가스의 유량 및 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하는 것에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 4 항에 있어서,상기 반응기는,플라즈마 보조 화학기상증착, 유도결합 플라즈마 화학기상 증착 또는 전자싸이클로트론공명 화학기상증착을 위한 반응기인 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 4 항에 있어서,상기 반응기 내 온도는 20℃~700℃ 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 4 항에 있어서,상기 제1가스 중 탄화수소 가스와 제2가스 중 수소 가스의 체적 비가 100:1~1:50이 되도록 제1가스와 제2가스의 유량이 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 4 항에 있어서,상기 반응기 내 압력은 0
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제 4 항에 있어서,상기 플라즈마의 세기는 100 W~1,000 W의 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는 고유전막
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10
제 4 항에 있어서,상기 기판은 반도체 기판 또는 금속 기판인 것을 특징으로 하는 고유전막
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11
제 10 항에 있어서,금속 기판 상에서 성장되어 전사되는 것을 특징으로 하는 고유전막
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 고유전막을 포함하는 반도체 소자
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 고유전막을 포함하는 커패시터
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