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비정질 탄화수소 박막의 패시베이션에 의한 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법

  • 기술번호 : KST2022000416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 또는 박막트랜지스터와 같이 전하가 이동하는 전하 채널층을 포함하는 구조에서, 전하 채널층의 전하이동도를 향상시키는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전하 채널층의 표면 중 일부 또는 전체를 비정질 탄화수소 박막으로 패시베이션 하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/49 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/51(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 21/02115(2013.01) H01L 21/76834(2013.01) H01L 29/78651(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020200075954 (2020.06.22)
출원인 충남대학교산학협력단, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0157756 (2021.12.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.22)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김의태 대전광역시 중구
2 김동옥 대전광역시 유성구
3 이종훈 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0641069-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.03.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0091271-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0511783-26
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1000503-06
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2021-1000492-81
9 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.10.05 수리 (Accepted) 4-1-2021-5261638-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전하 채널층의 표면 중 일부 또는 전체를 비정질 탄화수소 박막으로 패시베이션 하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막이 채널층의 표면에 직접 성장되거나 또는 비정질 탄화수소 박막을 채널층의 표면에 전사되는 것에 의해 패시베이션되는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막의 두께는 단일 원자층 두께 ~ 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전하 채널층은 박막 트랜지스터의 전하 채널층인 것을 특징으로 하는 채널층의 전하이동도 향상 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 채널층은 실리콘, 금속산화물 반도체, 유기 반도체 또는 그래핀으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
6 6
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 전계유도 박막트랜지스터로,상기 비정질 탄화수소 박막으로 이루어진 패시베이션층이 게이트 유전막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 비정질 탄화수소 박막의 유전상수가 10 이상인 것을 특징으로 하는 전하 채널층의 전하이동도 향상 방법
8 8
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전하 채널층은 전극인 것을 특징으로 하는 채널층의 전하이동도 향상 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 전극은 반도체 전극, 금속 전극, 투명 전극 또는 유연 전극인 것을 특징으로 하는 채널층의 전하이동도 향상 방법
10 10
전하 채널층의 표면 중 일부 또는 전체가 비정질 탄화수소 박막에 의해 패시베이션 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
11 11
전하 채널층의 표면 중 일부 또는 전체가 비정질 탄화수소 박막에 의해 패시베이션 되어 있는 것을 특징으로 하는 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.