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플라즈마 반응기 내에 기판을 위치시키는 단계;상기 플라즈마 반응기 내에 탄화수소 가스 및 수소 가스를 함께 주입하는 단계;상기 플라즈마 반응기 내의 온도는 200℃ 내지 600℃로, 압력은 0
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제1항에 있어서,상기 고유전 탄화수소 박막의 등가 산화막 두께가 0
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활성 영역을 정의하는 기판;상기 활성 영역 상에 배치되는 게이트 유전막;상기 게이트 유전막 상에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 양측의 상기 활성 영역에 배치되는 소스/드레인 영역;을 포함하고,상기 게이트 유전막은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제3항에 있어서,상기 게이트 유전막은 적층된 복수의 유전층으로 구성되고,상기 복수의 유전층 중에서 하나의 유전층은 상기 고유전 탄화수소 박막으로 구성되고,상기 복수의 유전층 중에서 나머지 유전층은 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막, 하프늄 산화막, 지르코늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 및 티타늄 산화막 중에서 선택된 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 고유전 탄화수소 박막으로 구성되는 유전층은,상기 복수의 유전층 중에서 상기 기판에서 가장 먼 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 고유전 탄화수소 박막으로 구성되는 유전층은,상기 복수의 유전층 중에서 상기 기판에서 가장 가까운 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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활성 영역을 정의하는 기판;상기 기판에 매몰되고, 상기 활성 영역을 가로질러 제1 방향으로 연장되는 워드 라인;상기 워드 라인을 둘러싸는 게이트 유전막;상기 기판 상에서, 상기 워드 라인과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 비트 라인;을 포함하고,상기 게이트 유전막은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역;상기 기판 상에서 상기 핀형 활성 영역과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 게이트 구조물;상기 게이트 구조물의 양측에 배치되는 소스/드레인 영역; 및상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물;을 포함하고,상기 게이트 구조물은 게이트 유전막 및 게이트 전극을 포함하고,상기 게이트 유전막은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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기판으로부터 돌출되고 제1 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역;상기 핀형 활성 영역의 상면으로부터 서로 이격되어 배치되며 채널 영역을 가지는 복수의 반도체 패턴;상기 복수의 반도체 패턴을 둘러싸며 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 반도체 패턴의 최상부에 배치되며 상기 제2 방향으로 연장되는 메인 게이트 전극과 상기 복수의 반도체 패턴의 사이에 배치되는 서브 게이트 전극을 포함하는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 복수의 반도체 패턴의 사이에 배치되는 게이트 유전막;상기 메인 게이트 전극의 양 측벽 상에 배치되는 스페이서; 및상기 게이트 전극의 양측에 배치되며 상기 복수의 반도체 패턴에 연결되고, 상기 스페이서의 하면과 접촉하는 소스/드레인 영역;을 포함하고,상기 게이트 유전막은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제7항 내지 제9항 중 어느 하나에 있어서,상기 게이트 유전막은 적층된 복수의 유전층으로 구성되고,상기 복수의 유전층 중에서 하나의 유전층은 상기 고유전 탄화수소 박막으로 구성되고,상기 복수의 유전층 중에서 나머지 유전층은 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막, 하프늄 산화막, 지르코늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 및 티타늄 산화막 중에서 선택된 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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