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액상의 펜타플루오로프로판올(PFP)을 증기화시키는 제1 단계; 상기 증기화된 PFP 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계; 및상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 액상의 PFP를 증기화한 후 상기 식각 챔버에 제공하기 위해, 상기 액상의 PFP를 수용하는 제1 용기를 상기 PFP의 끓는점 이상의 제1 온도로 가열하고, 상기 제1 용기와 상기 식각 챔버를 연결하는 연결 배관을 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 증기화된 PFP 및 상기 아르곤 가스는 2:3 내지 1:9의 유량비로 상기 식각 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제3항에 있어서,상기 증기화된 PFP 및 상기 아르곤 가스는 2:3 내지 1:4의 유량비로 상기 식각 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제4항에 있어서,상기 증기화된 PFP 및 상기 아르곤 가스는 2:3 내지 3:7의 유량비로 상기 식각 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 방전가스는 산소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제6항에 있어서,상기 산소의 유량은 상기 PFP 가스 및 상기 아르곤 가스의 합산 유량과 1:3 내지 1:99의 비율이 되도록 상기 PFP 가스 및 상기 아르곤 가스와 함께 상기 식각 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 제3 단계 동안 상기 식각 챔버 내에서 상기 식각 대상을 지지하는 기판에는 -200 내지 -1400V의 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 대상은 실리콘 산화물 박막인 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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