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전기적으로 연결되면서 입사광의 방향에 따라 순차적으로 적층된 하부 셀 및 상부 셀을 포함하되,후면 전극;상기 후면 전극 상에 형성된 하부 셀의 갈륨비소계 광흡수층;상기 갈륨비소계 광흡수층 상에 형성된 중간 전극;상기 중간 전극 상에 형성된 상부 셀의 페로브스카이트 광흡수층; 및상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는, 탠덤형 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은 하기 화학식 1의 조성을 가지는 유무기 혼합 페로브스카이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은 1
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은 CuKα선을 이용한 X선 회절 측정시 2θ 14~15도의 범위에서 주피크를 갖는 결정성을 가지는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은 3 μm ×3 μm의 단위 면적 당 핀홀의 개수가 1개이거나 핀홀이 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 갈륨비소계 광흡수층은 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 갈륨비소계 베이스층과, 상기 베이스층의 상면 또는 하면에 위치하며 상기 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 갈륨비소계 에미터층을 포함하여 p-n 접합을 형성하는, 탠덤형 태양 전지
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7
제1항에 있어서,상기 중간 전극은 하부 셀의 전면 전극 및 상부 셀의 하부 전극을 포함하는, 탠덤형 태양 전지
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8
제1항에 있어서,상기 후면 전극의 상부 또는 하부에는 경질 기판 또는 플렉시블 기판을 더 포함하는, 탠덤형 태양 전지
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9
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층과 중간 전극 사이, 또는 상기 페로브스카이트 광흡수층과 상부 전극 사이에는 정공수송층 또는 전자수송층을 더 포함하는, 탠덤형 태양 전지
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10
기판 상에 갈륨비소계 광흡수층을 형성하고, 상기 기판 하부에 후면 전극을 형성하여 하부 셀을 형성하는 단계;상기 하부 셀의 갈륨비소계 광흡수층 상에 중간 전극을 형성하는 단계;상기 중간 전극 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 탠덤형 태양 전지의 제조방법
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기판 상에 갈륨비소계 광흡수층을 형성하고, 상기 기판 하부에 후면 전극층을 형성하고, 상기 갈륨비소계 광흡수층 상에 전면 전극을 형성하여 하부 셀을 형성하는 단계;기판 상에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하고, 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 상부 전극을 형성하여 상부 셀을 형성하는 단계; 및제조된 하부 셀 상에 제조된 상부 셀을 물리적으로 적층하여 탠덤형 태양 전지를 형성하는 단계를 포함하는 탠덤형 태양 전지의 제조방법
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제1 기판 상에 희생층, 갈륨비소계 광흡수층 및 후면 전극을 순차적으로 형성시켜 역구조의 하부 셀을 제조하는 단계;상기 역구조의 하부 셀을 플렉시블한 기판에 결합시키는 단계;에피택셜 리프트 오프(ELO) 공정에 의해 희생층을 에칭함으로써 제1 기판을 분리하여 플렉시블한 하부 셀을 제조하는 단계;상기 하부 셀의 갈륨비소계 광흡수층 상에 중간 전극을 형성하는 단계;상기 중간 전극 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 탠덤형 태양 전지의 제조방법
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13
제1 기판 상에 희생층, 갈륨비소계 광흡수층 및 후면 전극을 순차적으로 형성시켜 역구조의 하부 셀을 제조하는 단계;상기 역구조의 하부 셀을 플렉시블한 기판에 결합시키는 단계;에피택셜 리프트 오프(ELO) 공정에 의해 희생층을 에칭함으로써 제1 기판을 분리하여 플렉시블한 하부 셀을 제조하는 단계;플렉시블한 기판 상에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하고, 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 상부 전극을 형성하여 상부 셀을 형성하는 단계; 및제조된 하부 셀 상에 제조된 상부 셀을 물리적으로 적층하여 탠덤형 태양 전지를 형성하는 단계를 포함하는 탠덤형 태양 전지의 제조방법
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제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계는용액공정으로 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하여 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 박막 내에 결정 핵이 형성될 때까지 페로브스카이트 박막을 노출된 상태로 1차 열처리하는 단계; 및결정 핵이 형성된 페로브스카이트 박막을 커버로 덮어 2차 열처리하여 천천히 결정화시키는 단계를 포함하는 탠덤형 태양 전지의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 1차 열처리시 페로브스카이트 박막의 노출 시간은 30~50초인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양 전지의 제조방법
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