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기판;상기 기판 상에 복수의 층간 절연층들을 개재하여 수직으로 적층된 복수의 게이트 전극층들 및 상기 복수의 게이트 전극층들을 관통하는 적어도 하나의 수직 홀을 포함하고, 상기 적어도 하나의 수직 홀 내의 상기 복수의 게이트 전극층들의 측벽들은 둥근 형상을 갖는, 수직 게이트 구조체;상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽 상에 수직으로 형성되고, 상기 복수의 게이트 전극층들의 측벽들의 둥근 형상을 따라서 형성된 강유전체층; 및상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽 상의 상기 강유전체층 상에 형성되는 반도체 채널층을 포함하는,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 수직 게이트 구조체에서, 상기 적어도 하나의 수직 홀 내 상기 복수의 게이트 전극층들의 측벽들은 상기 복수의 층간 절연층들보다 상기 적어도 하나의 수직 홀 내로 돌출되게 형성된,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 채널층은 상기 복수의 게이트 전극층들의 측벽들의 둥근 형상을 따라서 형성된,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 강유전체층 및 상기 반도체 채널층 사이에 상기 복수의 게이트 전극층들의 측벽들의 둥근 형상을 따라서 형성된 게이트 절연층을 더 포함하는,강유전체 메모리 소자
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제 4 항에 있어서,상기 복수의 게이트 전극층들의 측벽들의 둥근 형상 상에서, 상기 강유전체층의 곡률 반경은 상기 게이트 절연층의 곡률 반경보다 작은,강유전체 메모리 소자
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제 5 항에 있어서,상기 강유전체층의 두께는 상기 게이트 절연층의 두께보다 큰,강유전체 메모리 소자
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기판 상에, 복수의 층간 절연층들 및 복수의 희생층들을 교대로 형성하는 단계;상기 복수의 층간 절연층들 및 복수의 희생층들을 관통하는 적어도 하나의 수직 홀을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 수직 홀에 의해서 노출된 상기 복수의 희생층들의 측벽들을 둥근 형상으로 라운딩 처리하는 단계;상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽 상에, 상기 복수의 희생층들의 측벽들의 둥근 형상을 따라서 수직으로 강유전체층을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽 상의 상기 강유전체층 상에 반도체 채널층을 형성하는 단계;상기 복수의 희생층들을 제거하여, 복수의 수평 홀들을 형성하는 단계; 및상기 복수의 층간 절연층들을 개재하여 수직으로 적층되고, 상기 적어도 하나의 수직 홀 내에서 둥근 형상의 측벽들을 갖도록, 상기 복수의 수평 홀들을 채우는 복수의 게이트 전극층들을 형성하는 단계를 포함하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 라운딩 처리하는 단계에서, 상기 적어도 하나의 수직 홀에서 노출된 상기 복수의 층간 절연층들을 일부 식각하여 상기 복수의 희생층들이 상기 복수의 층간 절연층들보다 상기 적어도 하나의 수직 홀 내로 돌출되게 하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 강유전체층을 형성하는 단계 후, 상기 적어도 하나의 수직 홀 내 상기 강유전체층 상에 상기 복수의 희생층들의 측벽들의 둥근 형상을 따라서 수직으로 게이트 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 복수의 층간 절연층들은 실리콘 산화막을 포함하고,상기 복수의 희생층들은 실리콘 질화막을 포함하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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