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태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022000749
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판 상에 전극을 형성하여 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 제1페이스트를 인쇄하는 제1프린팅 단계; 상기 제1페이스트를 소성하여 제1전극층을 형성하는 제1소성 단계; 상기 제1전극층 상에 제2페이스트를 인쇄하는 제2프린팅 단계; 및 상기 제2페이스트를 소성하여 제2전극층을 형성하는 제2소성 단계; 를 포함하는 태양전지 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 31/046 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/186(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020200084047 (2020.07.08)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0006280 (2022.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해석 서울특별시 송파구
2 김동환 경기도 양평군
3 강윤묵 서울특별시 성북구
4 최동진 경상남도 진주시 초북로 **,
5 배수현 서울특별시 중랑구
6 박현정 서울특별시 강서구
7 이창현 서울특별시 동대문구
8 한혜빈 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0708995-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 전극을 형성하여 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,상기 반도체 기판 상에 제1페이스트를 인쇄하는 제1프린팅 단계;상기 제1페이스트를 소성하여 제1전극층을 형성하는 제1소성 단계;상기 제1전극층 상에 제2페이스트를 인쇄하는 제2프린팅 단계; 및상기 제2페이스트를 소성하여 제2전극층을 형성하는 제2소성 단계; 를 포함하는 태양전지 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1페이스트는 Ag 페이스트이고,상기 제2페이스트는 Cu(core)-Ag(Shell) 페이스트인 태양전지 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1소성 단계는 공기 또는 산소 분위기 하에서 수행되고,상기 제2소성 단계는 비활성 가스 분위기 하에서 수행되는 태양전지 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 제1소성 단계에서는상기 제1전극층에 복수의 Ag 미결정(crystallite)을 형성하는 태양전지 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 제2소성 단계에서는상기 제1전극층에 형성된 복수의 Ag 미결정(crystallite)을 유지하는 태양전지 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 제1프린팅 단계에서는 제1 스크린 마스크를 이용하여 제1페이스트가 인쇄되고,상기 제2프린팅 단계에서는 제2 스크린 마스크를 이용하여 제2페이스트가 인쇄되고,상기 제1 스크린 마스크는 핑거 패턴만이 형성되고,상기 제2 스크린 마스크는 상기 핑거 패턴 및 버스바 패턴이 형성된 태양전지 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판 상에는 에미터층 및 반사방지층이 형성되고,상기 제1프린팅 단계에서는 상기 에미터층 상에 제1페이스트를 인쇄하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교산학협력단 에너지기술개발사업 고효율 태양전지 양산화를 위한 효율 24.5%급 전하선택형 실리콘 태양전지 및 모듈화 기술 개발
2 과학기술정보통신부 고려대학교 산학협력단 기후변화대응기초, 원천기술개발사업 상업용 실리콘 기반 wide bandgap 페로브스카이트 다중 접합 태양전지 요소 기술 개발