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적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및 상기 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체를 포함하고, 상기 기판은, 제2 금속층이 형성되고, 상기 형성된 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅(dewetting)을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 제2 금속층 하부에 형성되는 제1 금속층을 더 포함하는유기 발광 소자
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제2항에 있어서, 상기 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 상기 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함하는유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 나노-섬 구조체는, 상기 제2 금속층의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절되는유기 발광 소자
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제4항에 있어서, 상기 기판은, 5nm 내지 500nm의 두께로 형성된 상기 제2 금속층의 디웨팅을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 상기 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 나노-섬 구조체가 형성된 표면 상에 제3 금속 물질이 증착되는유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 유기 발광 구조체는,제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성되는유기 발광 소자
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기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성하는 단계 및 상기 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 형성되는 제2 금속층에 대한 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅(dewetting) 현상을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는유기 발광 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 상기 제2 금속층 하부에 제1 금속층을 형성하는유기 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 금속층은 알루미늄(Al) 금속을 포함하고, 상기 제2 금속층은 은(Ag) 금속을 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,5nm 내지 500nm의 두께로 형성된 상기 제2 금속층의 디웨팅을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는유기 발광 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,100℃ 내지 300℃의 온도에서 5분 내지 120분간 수행되는 상기 열처리로 인해 발생되는 상기 제2 금속층의 디웨팅을 통해 상기 나노-섬 구조체가 형성되는유기 발광 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는,상기 나노-섬 구조체가 형성된 상기 기판의 표면 상에 제3 금속 물질이 증착되는 유기 발광 소자의 제조방법
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