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절연 기판;상기 절연 기판에 탑재된 하나 이상의 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자의 상면에 위치하는 제1 플랫메탈; 및상기 제1 플랫메탈 위에 플립 스택된 하나 이상의 다이오드 소자를 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 바닥면이 드레인 전극이고 윗면에 소스와 게이트 전극이 형성되어 있는 MOSFET이고, 상기 다이오드 소자는 바닥면이 캐소드 전극이고 윗면이 애노드 전극인 SBD인 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제1플랫메탈은 상기 절연 기판에 연결되는 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 상면과 상기 절연 기판을 연결하는 제2 플랫메탈을 추가로 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 플립 스택된 다이오드 소자의 플립된 바닥면과 상기 절연 기판을 연결하는 제3 플랫메탈을 추가로 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제1 플랫메탈은 상기 스위칭 소자 및 상기 다이오드 소자 중 적어도 하나와의 간격을 확보하기 위한 단차를 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제1 플랫메탈은 하나 이상의 슬롯을 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제4항에 있어서, 상기 제2 플랫메탈은 하나 이상의 슬롯을 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제5항에 있어서, 상기 제3 플랫메탈은 하나 이상의 슬롯을 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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절연 기판;상기 절연 기판에 탑재된 하나 이상의 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자의 제1전극과 상기 절연 기판을 연결하는 제1 플랫메탈;상기 스위칭 소자의 제2전극과 상기 절연 기판을 연결하는 제2 플랫메탈;상기 제1 플랫메탈 위에 플립 스택되어 접합된 하나 이상의 다이오드 소자; 및상기 플립 스택된 다이오드 소자의 플립된 바닥면과 상기 절연 기판을 연결하는 제3 플랫메탈을 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제10항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 바닥면이 드레인 전극이고 상기 제1전극은 소스 전극이고 상기 제2전극은 게이트 전극인 MOSFET이고, 상기 다이오드 소자는 바닥면이 캐소드 전극이고 윗면이 애노드 전극인 SBD인 플립-스택형 반도체 패키지
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제10항에 있어서, 상기 제1 플랫메탈, 제2 플랫메탈, 및 제3 플랫메탈 중 적어도 하나는 상기 스위칭 소자 및 상기 다이오드 소자 중 적어도 하나와의 간격을 확보하기 위한 단차를 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제10항에 있어서, 상기 제1 플랫메탈, 제2 플랫메탈, 및 제3 플랫메탈 중 적어도 하나는 하나 이상의 슬롯을 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지
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제1항에 기재된 플립-스택형 반도체 패키지를 제조하는 방법으로,절연 기판에 스위칭 소자 솔더링 영역 및 제1 플랫메탈 솔더링 영역을 형성하는 단계;상기 절연 기판에 형성된 스위칭 소자 솔더링 영역 및 제1 플랫메탈 솔더링 영역에 솔더를 도포하고, 상기 스위칭 소자 솔더 영역에 하나 이상의 스위칭 소자를 마운트하는 단계;상기 스위칭 소자의 상면에 있는 제1전극에 솔더를 도포하고, 이 도포된 솔더와 상기 절연 기판에 형성된 제1 플랫메탈 솔더링 영역에 제1 플랫메탈을 마운트하는 단계;다이오드 소자가 접합될 제1 플랫메탈의 영역에 솔더를 도포하고, 이 솔더 도포된 제1 플랫메탈의 영역에 다이오드 소자가 접촉하도록 다이오드 소자를 뒤집어 마운트하는 단계; 및 상기 스위칭 소자와 다이오드 소자, 제1 플랫메탈, 그리고 절연 기판을 동시에 솔더링하여 접합하는 단계를 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 바닥면이 드레인 전극이고 윗면에 소스와 게이트 전극이 형성되어 있는 MOSFET이고, 상기 다이오드 소자는 바닥면이 캐소드 전극이고 윗면이 애노드 전극인 SBD인 플립-스택형 반도체 패키지 제조방법
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제14항에 있어서, 절연 기판에 제2 플랫메탈 솔더링 영역을 형성하는 단계;상기 스위칭 소자의 상면에 있는 제2전극에 솔더를 도포하고, 이 도포된 솔더와 상기 절연 기판에 형성된 제2 플랫메탈 솔더링 영역에 제2 플랫메탈을 마운트하는 단계; 및상기 스위칭 소자와 다이오드 소자, 제1 플랫메탈, 제2 플랫메탈, 그리고 절연 기판을 동시에 솔더링하여 접합하는 단계를 추가로 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지 제조방법
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제14항에 있어서, 절연 기판에 제3 플랫메탈 솔더링 영역을 형성하는 단계;상기 제1 플랫메탈에 뒤집혀 마운트된 다이오드 소자의 뒤집힌 바닥면에 솔더를 도포하고, 이 도포된 솔더와 상기 절연 기판에 형성된 제3 플랫메탈 솔더링 영역에 제3 플랫메탈을 마운트하는 단계; 및상기 스위칭 소자와 다이오드 소자, 제1 플랫메탈, 제2 플랫메탈, 제3 플랫메탈, 그리고 절연 기판을 동시에 솔더링하여 접합하는 단계를 추가로 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지 제조방법
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제10항에 기재된 플립-스택형 반도체 패키지를 제조하는 방법으로,절연 기판에 스위칭 소자 솔더링 영역 및 제1 및 제2 플랫메탈 솔더링 영역을 형성하는 단계;상기 절연 기판에 형성된 스위칭 소자 솔더링 영역 및 제1 및 제2 플랫메탈 솔더링 영역에 솔더를 도포하는 단계;상기 솔더를 도포한 영역에 하나 이상의 스위칭 소자를 마운트하는 단계; 상기 마운트된 스위칭 소자 상부의 제1 및 제2전극에 솔더를 도포하고, 제1 플랫메탈과 제2 플랫메탈이 접합될 절연 기판의 위치에 솔더를 도포하는 단계; 제1 플랫메탈과 제2 플랫메탈을 스위칭 소자의 제1전극과 제2전극 및 절연 기판에 마운트하는 단계;다이오드 소자가 접합될 제1 플랫메탈의 영역에 솔더를 도포하고, 이 솔더 도포된 제1 플랫메탈의 영역에 다이오드 소자가 접촉하도록 다이오드 소자를 뒤집어 마운트하는 단계;상기 뒤집혀 마운트된 다이오드 소자의 플립된 바닥면에 솔더를 도포하고, 이 솔더 위에 제3 플랫메탈을 마운트하는 단계; 및 상기 스위칭 소자와 다이오드 소자, 제1 내지 제3 플랫메탈들, 그리고 절연 기판을 동시에 솔더링하여 접합하는 단계를 포함하는 플립-스택형 반도체 패키지 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 바닥면이 드레인 전극이고 상기 제1전극은 소스 전극이고 상기 제2전극은 게이트 전극인 MOSFET이고, 상기 다이오드 소자는 바닥면이 캐소드 전극이고 윗면이 애노드 전극인 SBD인 플립-스택형 반도체 패키지 제조방법
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