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적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)가 형성된 기판 및 상기 기판 상에 형성된 유기 발광 구조체를 포함하고, 상기 기판은, 무기물층이 형성되고, 상기 형성된 무기물층이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 상기 나노-섬 구조체가 형성되는유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 무기물층은, 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함하는유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체는, 상기 형성된 무기물층의 두께에 따라 피치(pitch) 및 깊이(depth)가 조절되는유기 발광 소자
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제3항에 있어서, 상기 무기물층은, 25nm 내지 200nm의 두께로 상기 기판 상에 형성되는유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 형성된 무기물층이 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 상기 나노-섬 구조체가 형성되는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 유기 발광 구조체는,제1 전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 제2 전극 및 캡핑층이 적층되어 형성되는유기 발광 소자
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7
기판 상에 적어도 하나 이상의 나노-섬 구조체(nano-island structures)를 형성하는 단계 및 상기 나노-섬 구조체가 형성된 기판 상에 유기 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 형성된 무기물층이 기설정된 온도 및 습도 조건의 환경에 노출되어 상기 나노-섬 구조체가 형성되는 유기 발광 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 무기물층은, 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함하는유기 발광 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 25nm 내지 200nm의 두께로 상기 기판 상에 상기 무기물층을 형성하는 유기 발광 소자의 제조방법
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10
제7항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 상기 형성된 무기물층이 5℃ 내지 40℃의 온도 및 30% 내지 100%의 습도 조건의 환경에 노출되어 상기 나노-섬 구조체가 형성되는유기 발광 소자의 제조방법
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