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기판(110);상기 기판(110)의 상부면에 도핑원소를 이용하여 형성되는 도핑층(120);상기 도핑층(120)의 상부면에 형성되는 후면 전극층(130); 및상기 후면 전극층(130)의 상부면에 형성되는 광흡수층(140);을 포함하며,상기 도핑층(120) 및 후면 전극층(130)은 2중층 후면 전극 구조인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 도핑 원소는 Na를 도핑한 몰리브덴층(Mo:Na)인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 도핑층(120)은 스퍼터링 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 2 항에 있어서,상기 후면 전극층(130)은 몰리브덴(Mo)을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 도핑 원소가 이온 상태로 상기 광흡수층(140)쪽으로 확산되도록 상기 광흡수층(140)은 540°내지 560°의 온도로 증착되는 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층(140)의 재질은 CIGS(Cu(InGa)Se2)인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 전극층(130)의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 후면 전극층(130)의 증착의 진공도는 1~2mtorr이고, 상기 도핑층(120)의 증착의 진공도는 5~6mtorr인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 기판(110)은 스테인레스 스틸 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 유연 태양 전지
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(a) 기판(110)이 준비되는 단계;(b) 상기 기판(110)의 상부면에 도핑원소를 이용하여 도핑층(120)이 형성되는 단계;(c) 상기 도핑층(120)의 상부면에 후면 전극층(130)이 형성되는 단계; 및(d) 상기 후면 전극층(130)의 상부면에 광흡수층(140)이 형성되는 단계;를 포함하며,상기 도핑층(120) 및 후면 전극층(130)은 2중층 후면 전극 구조인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 도핑 원소는 Na를 도핑한 몰리브덴층(Mo:Na)인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 도핑층(120)은 스퍼터링 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 후면 전극층(130)은 몰리브덴(Mo)을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 도핑 원소가 이온 상태로 상기 광흡수층(140)쪽으로 확산되도록 상기 광흡수층(140)은 540°내지 560°의 온도로 증착되는 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 광흡수층(140)의 재질은 CIGS(Cu(InGa)Se2)인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 후면 전극층(130)의 두께는 0
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제 10 항에 있어서,상기 후면 전극층(130)의 증착의 진공도는 1~2mtorr이고, 상기 도핑층(120)의 증착의 진공도는 5~6mtorr인 것을 특징으로 하는 유연 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 기판(110)은 스테인레스 스틸 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 유연 태양 전지의 제조 방법
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