1 |
1
Au 이온이 도핑된 폴리티오펜계 공액 고분자 매트릭스 및 Au 나노입자를 포함하고, 상기 Au 나노입자는 상기 고분자 매트릭스에 균일하게 분산되어 함입된 것을 특징으로 하는 고분자 열전 소재
|
2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 Au 이온은 AuCl4-인 고분자 열전 소재
|
3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 고분자 열전 소재 표면의 X선 광전자 분광 분석(XPS) 스펙트럼은 84
|
4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 고분자 열전 소재 표면의 X선 광전자 분광 분석(XPS) 스펙트럼은 198
|
5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 Au이온 및 Au 나노입자는 고분자 매트릭스의 표면에 위치하는 고분자 열전 소재
|
6 |
6
제 1항에 있어서,상기 Au 나노입자의 평균입경은 1 내지 5㎚인 고분자 열전 소재
|
7 |
7
제 1항에 있어서,상기 Au 나노입자는 AuCl4-로부터 형성된 고분자 열전 소재
|
8 |
8
제 1항에 있어서,상기 고분자 열전 소재는 UV-vis 스펙트럼에서 500±1㎚ 영역의 피크가 하기 식 1을 만족하는 고분자 열전 소재
|
9 |
9
제 1항에 있어서,상기 고분자 열전 소재는 전기전도도(S/㎝)가 하기 식 2를 만족하는 고분자 열전 소재
|
10 |
10
제 1항에 있어서,상기 고분자 열전 소재는 두께가 10 내지 100㎚인 고분자 열전 소재
|
11 |
11
제1항 내지 제 10항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 고분자 열전 소재를 포함하는 열전 소재 어레이; 및 상기 열전 소재 어레이를 전기적으로 연결하는 전극;을 포함하는 열전 소자
|
12 |
12
폴리티오펜계 공액 고분자 필름을 제조하는 단계;AuCl3를 포함하는 도핑용액으로 상기 폴리티오펜계 공액 고분자 필름을 도포하는 단계; 및Au 이온이 부분 환원되어 Au 나노입자가 형성되는 단계;를 포함하는 고분자 열전 소재의 제조방법
|
13 |
13
제 12항에 있어서,상기 폴리티오펜계 공액 고분자 필름은 120℃이상의 온도에서 열처리하여 제조된 고분자 열전 소재의 제조방법
|
14 |
14
제 12항에 있어서,상기 도핑용액은 AuCl3을 2 내지 10 mM의 농도로 포함하는 고분자 열전 소재의 제조방법
|