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RF 전원을 생성하여 공급하는 RF 전원 공급기;상기 RF 전원 공급기로부터 RF 전원을 공급받는 플라즈마 챔버;상기 RF 전원 공급기와 상기 플라즈마 챔버 사이에 배치되어 상기 플라즈마 챔버로의 출력 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭 회로;를 포함하고,상기 임피던스 매칭 회로는복수의 레그 셀을 포함하고,상기 복수의 레그 셀 중 적어도 하나는상기 RF 전원 공급기의 일측과 연결되는 제1 노드;상기 RF 전원 공급기의 타측과 연결되는 제2 노드;상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 배치되는 제1 인덕터;상기 제1 인덕터에 병렬로 연결되는 PIN 다이오드;상기 PIN 다이오드와 직렬로 연결되는 스위치;상기 제1 인덕터와 병렬로 배치되는 제2 인덕터;상기 제2 인덕터와 병렬로 연결되는 가변 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제1항에 있어서,상기 복수의 레그 셀은 동일한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터의 인덕턴스는 동일한 값이거나, 다른 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제1항에 있어서,상기 PIN 다이오드의 캐소드는 상기 제1 노드에 연결되고, 상기 PIN 다이오드의 애노드는 상기 스위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제1항에 있어서,상기 PIN 다이오드의 애노드는 상기 제1 노드에 연결되고, 상기 PIN 다이오드의 캐소드는 상기 스위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제1항에 있어서,상기 스위치가 턴-오프 되면, 상기 복수의 레그 셀 중 하나는 상기 제1 인덕터에 의한 임피던스 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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제1항에 있어서,상기 스위치가 턴-온 되면, 상기 복수의 레그 셀 중 하나는 병렬로 연결된 상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터 및 상기 가변 커패시터 구조의 임피던스 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시스템
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RF 전원 공급기의 일측과 연결되는 제1 노드;상기 RF 전원 공급기의 타측과 연결되는 제2 노드;상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 배치되는 제1 인덕터;상기 제1 인덕터에 병렬로 연결되는 PIN 다이오드;상기 PIN 다이오드와 직렬로 연결되는 스위치;상기 제1 인덕터와 병렬로 배치되는 제2 인덕터;상기 제2 인덕터와 병렬로 연결되는 가변 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자식 가변 커패시터 회로
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