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기판이 배치되는 하부 챔버;상기 하부 챔버에 유도 결합 플라즈마를 생성시키는 고주파 안테나;상기 하부 챔버와 상기 고주파 안테나 사이에 배치되는 복수의 유전체 윈도우;상기 하부 챔버와 상기 고주파 안테나 사이에 배치되며, 상기 복수의 유전체 윈도우 각각의 사이에 배치되는 복수의 금속 윈도우; 및상기 복수의 금속 윈도우 각각의 내에 배치되는 가스 유입관을 포함하되,상기 가스 유입관은 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 복수의 노즐을 포함하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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제 1항에 있어서,상기 복수의 유전체 윈도우가 차지하는 면적은 상기 복수의 금속 윈도우가 차지하는 면적보다 더 큰 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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3
제 2항에 있어서,상기 복수의 유전체 윈도우가 차지하는 면적은 상기 복수의 금속 윈도우가 차지하는 면적의 3배인 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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4
제 1항에 있어서,상기 복수의 유전체 윈도우는 Al2O3를 포함하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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제 1항에 있어서,상기 고주파 안테나는 상기 복수의 유전체 윈도우 각각의 적어도 일부와 접촉하고, 상기 복수의 금속 윈도우와는 접촉하지 않는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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6
제 1항에 있어서,상기 복수의 유전체 윈도우와 상기 복수의 금속 윈도우가 둘러싸는 금속 프레임을 더 포함하되,상기 금속 프레임은, 상기 기판을 향해 상기 가스를 분사하는 복수의 센터 노즐을 포함하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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7
기판이 배치되는 하부 챔버; 및상기 기판으로부터 제1 방향으로 이격하여 배치되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제1 평면 상에 배치되고, 상기 기판에 가스를 분사하는 복수의 노즐을 포함하되,상기 복수의 노즐 중 제1 노즐은 상기 제1 평면 내의 제1 영역에 배치되고,상기 복수의 노즐 중 제2 노즐은, 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역에 배치되되,상기 제2 노즐은 상기 제1 평면의 바깥으로부터 상기 제1 영역을 향해 연장되는 복수의 가스 유입관과 연결되는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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8
제 7항에 있어서,상기 복수의 가스 유입관을 둘러싸는 복수의 금속 윈도우; 및상기 복수의 금속 윈도우 각각의 사이에 배치되는 복수의 유전체 윈도우를 더 포함하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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9
기판;상기 기판을 지지하는 기판 지지대;상기 기판과 상기 기판 지지대가 배치되는 하부 챔버;상기 하부 챔버에 유도 결합 플라즈마를 생성시키는 고주파 안테나;상기 고주파 안테나 하부에 배치되는 복수의 유전체 윈도우;상기 복수의 유전체 윈도우 각각의 사이에 배치되는 복수의 금속 윈도우;상기 복수의 금속 윈도우 각각 내에 배치되는 가스 유입관; 및상기 가스 유입관과 연결되고, 상기 기판으로 가스를 분사하는 복수의 노즐을 포함하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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10
제 9항에 있어서,상기 복수의 유전체 윈도우가 차지하는 면적은 상기 복수의 금속 윈도우가 차지하는 면적보다 더 큰 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
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