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이온화 공간을 제공하며, 높이를 기준으로 하부 영역, 중심 영역 및 상부 영역으로 구분된 반응 챔버; 및상기 반응 챔버 외곽을 권취하도록 구성된 코일을 포함하며, 상기 코일은 상기 반응 챔버의 상기 하부 영역을 권취하는 제1코일부;상기 반응 챔버의 상기 중심 영역을 권취하는 제2코일부; 상기 반응 챔버의 상기 상부 영역을 권취하는 제3코일부를 포함하며,상기 제1 및 제3 코일부는 상기 반응 챔버의 외주를 나선 형태로 권취되고,상기 제2코일부는 상기 제1 및 제3코일부를 연결하면서, 상기 제1 및 제3코일부의 권취 방향에 대해 사선을 이루는 형태로 권취되는 이온 소스 헤드
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제 1항에 있어서,상기 제2코일부는 상기 제1및 제3코일부에 대해 30 내지 60°를 이루는 이온 소스 헤드
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제 1항에 있어서,상기 코일 양단에 전원을 제공하는 전원 공급장치를 더 포함하는 이온 소스 헤드
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제 1항에 있어서,상기 반응 챔버는 원통형 또는 각기둥 형태를 갖는 이온 소스 헤드
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반응 챔버의 높이 방향 및 상기 반응 챔버의 높이 방향에 대해 사선 방향의 전자기력을 유발하도록 권취된 코일을 포함하는 이온 소스 헤드;상기 이온 소스 헤드에서 생성된 플라즈마 이온을 전송하는 빔 전송부; 및 상기 빔 전송부를 통해 제공된 플라즈마 이온을 대상물에 주입하는 공정을 수행하는 주입 처리실을 포함하는 이온 주입 장치
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제 5항에 있어서,상기 이온 소스 헤드는 이온화 공간을 제공하며, 높이를 기준으로 하부 영역, 중심 영역 및 상부 영역으로 구분된 반응 챔버;상기 반응 챔버 외곽을 권취하도록 구성된 코일을 포함하며, 상기 코일은 상기 반응 챔버의 상기 하부 영역을 권취하는 제1코일부;상기 반응 챔버의 상기 중심 영역을 권취하는 제2코일부;및상기 반응 챔버의 상기 상부 영역을 권취하는 제3코일부를 포함하며,상기 제1 및 제3 코일부는 상기 반응 챔버의 외주를 나선 형태로 권취되고,상기 제2코일부는 상기 제1 및 제3코일부를 연결하면서, 상기 제1 및 제3코일부의 권취 방향에 대해 사선을 이루는 형태로 권취되는 이온 주입 장치
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제 6항에 있어서,상기 제2코일부는 상기 제1및 제3코일부에 대해 30 내지 60°를 이루는 이온 주입 장치
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제 5항에 있어서,상기 코일 양단에 전원을 제공하는 전원 공급장치를 더 포함하는 이온 주입 장치
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제 5항에 있어서,상기 반응 챔버는 원통형 또는 각기둥 형태를 갖는 이온 주입 장치
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제 6항에 있어서,상기 반응 챔버의 하부 영역의 외측에 위치되며 소스 가스를 제공하는 가스 공급부를 더 포함하는 이온 주입 장치
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제 6항에 있어서,상기 반응 챔버의 상부 영역 외측과 상기 빔 전송부 사이에 위치되며 상기 플라즈마 이온을 선별하도록 구성된 슬릿을 더 포함하는 이온 주입 장치
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