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고유전 탄화수소 박막 및 이를 이용한 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2022001130
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자는, 활성 영역을 정의하는 기판, 활성 영역 상에 배치되는 게이트 유전막, 게이트 유전막 상에 배치되는 게이트 전극, 게이트 전극의 양측의 활성 영역에 배치되는 소스/드레인 영역, 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물, 및 소스/드레인 영역과 컨택 구조물의 계면에 형성되는 초박막 삽입층을 포함하고, 초박막 삽입층은 고유전 탄화수소 박막을 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/8238 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02115(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/52(2013.01) H01L 21/76831(2013.01) H01L 21/823871(2013.01)
출원번호/일자 1020200076059 (2020.06.22)
출원인 울산과학기술원, 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0157798 (2021.12.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종훈 울산광역시 울주군
2 김의태 대전광역시 중구
3 정홍식 울산광역시 울주군
4 서준기 울산광역시 울주군
5 임동혁 울산광역시 울주군
6 이석우 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0642069-03
2 보정요구서
Request for Amendment		 2020.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0095930-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0777749-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
6 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1361916-25
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2021.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0138711-23
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0175724-28
10 협의요구서
Request for Consultation		 2021.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0762694-81
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0762697-17
12 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.10.05 수리 (Accepted) 4-1-2021-5261638-12
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1352978-79
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1352977-23
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2021.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0187043-48
16 [반려이유통지에 따른 소명]의견서·답변서·소명서
 2021.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2021-1406499-11
17 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2021.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0191709-97
18 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2021.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0191710-33
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번호 청구항
1 1
플라즈마 반응기 내에 기판을 위치시키는 단계;상기 플라즈마 반응기 내에 탄화수소 가스 및 수소 가스를 함께 주입하는 단계;상기 플라즈마 반응기 내의 온도는 200℃ 내지 600℃로, 압력은 0
2 2
제1항에 있어서,상기 고유전 탄화수소 박막의 등가 산화막 두께가 0
3 3
반도체 물질층;금속 물질층; 및상기 반도체 물질층과 상기 금속 물질층의 계면에 형성되는 초박막 삽입층;을 포함하고,상기 초박막 삽입층은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
4 4
제3항에 있어서,상기 초박막 삽입층은,상기 반도체 물질층과 상기 금속 물질층 사이의 페르미 레벨 고정(Fermi level pinning) 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
5 5
제3항에 있어서,상기 초박막 삽입층은,상기 반도체 물질층의 댕글링 본드를 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
6 6
활성 영역을 정의하는 기판;상기 활성 영역 상에 배치되는 게이트 유전막;상기 게이트 유전막 상에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 양측의 상기 활성 영역에 배치되는 소스/드레인 영역;상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물; 및상기 소스/드레인 영역과 상기 컨택 구조물의 계면에 형성되는 초박막 삽입층;을 포함하고,상기 초박막 삽입층은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역;상기 기판 상에서 상기 핀형 활성 영역과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 게이트 구조물;상기 게이트 구조물의 양측에 배치되는 소스/드레인 영역;상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물; 및상기 소스/드레인 영역과 상기 컨택 구조물의 계면에 형성되는 초박막 삽입층;을 포함하고,상기 초박막 삽입층은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8 8
기판으로부터 돌출되고 제1 방향으로 연장되는 핀형 활성 영역;상기 핀형 활성 영역의 상면으로부터 서로 이격되어 배치되며 채널 영역을 가지는 복수의 반도체 패턴;상기 복수의 반도체 패턴을 둘러싸며 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 반도체 패턴의 최상부에 배치되며 상기 제2 방향으로 연장되는 메인 게이트 전극과 상기 복수의 반도체 패턴의 사이에 배치되는 서브 게이트 전극을 포함하는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 복수의 반도체 패턴의 사이에 배치되는 게이트 유전막;상기 메인 게이트 전극의 양 측벽 상에 배치되는 스페이서; 및상기 게이트 전극의 양측에 배치되며 상기 복수의 반도체 패턴에 연결되고, 상기 스페이서의 하면과 접촉하는 소스/드레인 영역;상기 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 컨택 구조물; 및상기 소스/드레인 영역과 상기 컨택 구조물의 계면에 형성되는 초박막 삽입층;을 포함하고,상기 초박막 삽입층은 제1항의 방법에 의해 제조된 고유전 탄화수소 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
9 9
제6항 내지 제8항 중 어느 하나에 있어서,상기 초박막 삽입층은,상기 소스/드레인 영역을 구성하는 물질과 상기 컨택 구조물을 구성하는 물질 사이의 페르미 레벨 고정 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
10 10
제6항 내지 제8항 중 어느 하나에 있어서,상기 초박막 삽입층은,상기 소스/드레인 영역을 구성하는 물질의 댕글링 본드를 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 울산과학기술원 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 실시간 투과전자현미경 분석을 이용한 이차원 재료의 구조물성학 연구
2 과학기술정보통신부 울산과학기술원 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 지능형 열제어 회로 구현을 위한 비선형 및 방향성 열전달 소재 개발
3 과학기술정보통신부 울산과학기술원 정보통신방송혁신인재양성(R＆D) 인공지능대학원지원(울산과학기술원)