1 |
1
헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화물(hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)에 염화금산(HAuCl4), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 질산은(AgNO3) 및 아스코르브 산을 이용하여 금 나노막대를 제조하는 제1단계;상기 제조된 금 나노막대를 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole)과 질산 아연(zinc nitrate) 수용액과 반응하여 ZIF-8(zeolitic imidazolate framework-8)을 상기 금 나노막대 표면에 코팅하는 제2단계;상기 코팅된 금 나노막대를 에칭(etching)하여 금 나노구형으로 생성하는 제3단계; 및상기 금 나노구형을 환원하여 재성장 하는 제4단계;에 의해 수행하되,상기 제4단계의 재성장은,상기 금 나노구형 용액을 원심 분리하고 상층액을 버린 뒤, 헥사데킬피리디늄 염화 단수화물(hexadecylpyridinium chloride monohydrate, CPC)을 교반 혼합하여 용매 교환하는 제4-1단계; 및상기 용매 교환 후 염화금산(HAuCl4), 아스코르브산(ascorbic acid)을 혼합하는 제4-2단계;에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
2 |
2
제 1항에 있어서,상기 제1단계의 금 나노막대의 생성은,헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화물(hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)에 염화금산(HAuCl4) 및 수소화붕소나트륨(NaBH4)을 혼합하여 종자용액을 제조하는 제1-1단계; 및상기 염화금산(HAuCl4), 질산은(AgNO3), 아스코르브 산 및 상기 종자용액을 헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화물(hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)에 첨가하여 금 나노막대를 생성하는 제1-2단계;에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
3 |
3
제 2항에 있어서,상기 제조된 금 나노막대는,길이 48 내지 57
|
4 |
4
제 1항에 있어서,상기 제2단계의 금 나노막대 표면에 ZIF-8의 코팅은,제1단계(S10)에서 제조된 상기 금 나노막대 수용액을 원심 분리하여 상층액을 제거한 뒤, 탈 이온수를 첨가한 후 혼합하는 제2-1단계; 및상기 탈 이온수가 첨가된 금 나노막대에 Zn(NO3)2·6H2O과 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole)을 순차적으로 주입한 뒤 교반하여 금 나노막대 표면에 ZIF-8(zeolitic imidazolate framework-8)을 코팅하는 제2-2단계;에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
5 |
5
제 4항에 있어서,상기 코팅된 금 나노막대는,상기 코팅된 ZIF-8(zeolitic imidazolate framework-8)의 쉘(shell)의 길이가 139
|
6 |
6
제 1항에 있어서,상기 코팅된 금 나노막대는,상기 ZIF-8(zeolitic imidazolate framework-8)가 분지형의 내부 중앙에 상기 금 나노막대가 위치하는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
7 |
7
제 1항에 있어서,상기 제3단계의 에칭(etching)은,염화금산(HAuCl4)과 헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화(Hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)을 이용하여 산화시켜 구형으로 생성하는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
8 |
8
제 1항에 있어서,상기 제3단계의 에칭(etching)은,상기 코팅된 금 나노막대에서 용액을 원심 분리하고 상층액을 버린 뒤, 헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화(Hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)을 교반 혼합하여 용매 교환하는 제3-1단계; 및상기 용매 교환 후 염화금산(HAuCl4)을 혼합하는 제3-2단계;에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
9 |
9
제 1항에 있어서,상기 제4단계의 재성장은,염화금산(HAuCl4)과 아스코르브산(ascorbic acid)을 이용하여 환원하는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
|
10 |
10
삭제
|
11 |
11
헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화물(hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)에 염화금산(HAuCl4), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 질산은(AgNO3) 및 아스코르브 산을 이용하여 금 나노막대를 제조하는 제1단계;상기 제조된 금 나노막대를 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole)과 질산 아연(zinc nitrate) 수용액과 반응하여 ZIF-8(zeolitic imidazolate framework-8)을 막대 형태로 마련된 상기 금 나노막대 표면에 코팅하는 제2단계;상기 코팅된 금 나노막대를 에칭(etching)하여 금 나노구형으로 생성하는 제3단계; 및상기 금 나노구형을 환원하여 재성장 하는 제4단계;를 포함하여 제조하되,상기 제4단계의 재성장은,상기 금 나노구형 용액을 원심 분리하고 상층액을 버린 뒤, 헥사데킬피리디늄 염화 단수화물(hexadecylpyridinium chloride monohydrate, CPC)을 교반 혼합하여 용매 교환하는 제4-1단계; 및상기 용매 교환 후 염화금산(HAuCl4), 아스코르브산(ascorbic acid)을 혼합하는 제4-2단계;에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자를 이용한 분자 센서
|
12 |
12
헥사데킬트리메틸암모늄 브롬화물(hexadecyltrimethylammonium bromide, CTAB)에 염화금산(HAuCl4), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 질산은(AgNO3) 및 아스코르브 산을 이용하여 금 나노막대를 제조하는 제1단계;상기 제조된 금 나노막대를 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole)과 질산 아연(zinc nitrate) 수용액과 반응하여 ZIF-8(zeolitic imidazolate framework-8)을 막대 형태로 마련된 상기 금 나노막대 표면에 코팅하는 제2단계;상기 코팅된 금 나노막대를 에칭(etching)하여 금 나노구형으로 생성하는 제3단계; 및상기 금 나노구형을 환원하여 재성장 하는 제4단계;를 포함하여 제조하되,상기 제4단계의 재성장은,상기 금 나노구형 용액을 원심 분리하고 상층액을 버린 뒤, 헥사데킬피리디늄 염화 단수화물(hexadecylpyridinium chloride monohydrate, CPC)을 교반 혼합하여 용매 교환하는 제4-1단계; 및상기 용매 교환 후 염화금산(HAuCl4), 아스코르브산(ascorbic acid)을 혼합하는 제4-2단계;에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZIF-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자를 이용한 약물 전달체
|