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바나듐티탄철광(VTM)에서 자력선별공정으로 바나듐 정광을 회수하는 방법으로,상기 바나듐티탄철광을 분쇄(crushing)하는 단계;상기 분쇄한 바나듐티탄철광을 연마(grinding)하는 단계; 상기 연마한 바나듐티탄철광을 100 Gauss 내지 595 Gauss, 1005 Gauss 내지 2500 Gauss 자장에서 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계; 및상기 자력선별하여 얻어진 바나듐을 회수하는 단계;를 포함하고, 상기 바나듐티탄철광을 분쇄(crushing)하는 단계에서 상기 분쇄는 조크러셔(jaw crusher)로 1차 분쇄하고, 콘크러셔(cone crusher)로 2차 분쇄하며, 상기 연마한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별은 드럼형 선별기(drum type separator)로 수행하고, 상기 분쇄한 바나듐티탄철광을 연마(grinding)하는 단계에서상기 연마는 로드밀(rod mill)로 수행하고,상기 연마 시간은 3 분 내지 2 시간이며,상기 회수한 바나듐의 회수율은 50 % ~ 95 % 이고,상기 회수한 바나듐의 품위는 오산화바나듐(V2O5) 기준으로 0
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바나듐티탄철광(VTM)에서 자력선별공정으로 바나듐 정광을 고품위로 회수하는 방법으로,상기 바나듐티탄철광을 분쇄(crushing)하는 단계;상기 분쇄한 바나듐티탄철광을 연마(grinding)하는 단계; 상기 연마한 바나듐티탄철광을 100 Gauss 내지 595 Gauss, 1005 Gauss 내지 2500 Gauss 자장에서 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계; 상기 자력선별하여 얻어진 바나듐을 100 Gauss 내지 595 Gauss, 1005 Gauss 내지 2500 Gauss 자장에서 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 다시 자력선별(magnetic separation)하는 단계; 및상기 자력선별하여 얻어진 바나듐을 회수하는 단계;를 포함하고, 상기 바나듐티탄철광을 분쇄(crushing)하는 단계에서 상기 분쇄는 조크러셔(jaw crusher)로 1차 분쇄하고, 콘크러셔(cone crusher)로 2차 분쇄하며, 상기 연마한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별은 드럼형 선별기(drum type separator)로 수행하고, 상기 분쇄한 바나듐티탄철광을 연마(grinding)하는 단계에서상기 연마는 로드밀(rod mill)로 수행하고,상기 연마 시간은 3 분 내지 2 시간이며,상기 회수한 바나듐의 회수율은 50 % ~ 95 % 이고,상기 회수한 바나듐의 품위는 오산화바나듐(V2O5) 기준으로 0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 드럼형 선별기는 젖은 드럼형 선별기 또는 마른 드럼형 선별기인 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 연마한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별한 바나듐을 1회 이상 다시 자력선별(magnetic separation)하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 연마한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별한 잔사물을 1회 이상 다시 자력선별(magnetic separation)하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 연마한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별한 전도체인 바나듐과 상기 자력선별한 부도체인 잔사물을 합체한 후 1회 이상 다시 자력선별(magnetic separation)하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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바나듐티탄철광(VTM)에서 자력선별공정과 중력선별공정으로 바나듐 정광과 티타늄 정광을 회수하는 방법으로,상기 바나듐티탄철광을 분쇄(crushing)하는 단계;상기 분쇄한 바나듐티탄철광을 연마(grinding)하는 단계;상기 연마한 바나듐티탄철광을 크기별로 분류(screening)하는 단계;상기 크기별로 분류한 바나듐티탄철광을 100 Gauss 내지 595 Gauss, 1005 Gauss 내지 2500 Gauss 자장에서 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계;상기 자력선별하여 얻어진 부도체인 잔사물을 비중별로 중력선별(gravity separation)하는 단계;상기 크기별로 분류한 전도체인 바나듐과 상기 비중별로 중력선별하여 얻은 부도체인 고비중 잔사물을 합체하여 재연마(regrinding)하는 단계;상기 재연마한 크기별로 분류한 전도체인 바나듐과 비중별로 중력선별하여 얻은 부도체인 고비중 잔사물의 합체물을 전도체인 바나듐과 부도체인 산화티탄으로 자력선별(magnetic separation)하는 단계; 및상기 자력선별하여 얻어진 바나듐과 상기 자력선별하여 얻어진 산화티탄을 회수하는 단계;를 포함하고, 상기 바나듐티탄철광을 분쇄(crushing)하는 단계에서 상기 분쇄는 조크러셔(jaw crusher)로 1차 분쇄하고, 콘크러셔(cone crusher)로 2차 분쇄하며, 상기 크기별로 분류한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별은 드럼형 선별기(drum type separator)로 수행하고,상기 분쇄한 바나듐티탄철광을 연마(grinding)하는 단계에서상기 연마는 로드밀(rod mill)로 수행하며,상기 연마 시간은 3 분 내지 2 시간이고,상기 회수한 바나듐의 회수율은 50 % ~ 95 % 이며,상기 회수한 산화티탄의 회수율은 50 % ~ 90 % 이고,상기 회수한 바나듐의 품위는 오산화바나듐(V2O5) 기준으로 0
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제 11 항에 있어서,상기 회수한 산화티탄은 품위 30 % ~ 50 % 인 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 연마한 바나듐티탄철광을 크기별로 분류(screening)하는 단계에서상기 크기별 분류는 10 메쉬(mesh) ~ 200 메쉬(mesh)로 수행되는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 드럼형 선별기는 젖은 드럼형 선별기 또는 마른 드럼형 선별기인 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 크기별로 분류한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별한 바나듐을 1회 이상 다시 자력선별(magnetic separation)하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 크기별로 분류한 바나듐티탄철광을 전도체인 바나듐과 부도체인 잔사물로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서 상기 자력선별한 잔사물을 1회 이상 다시 자력선별(magnetic separation)하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 자력선별하여 얻어진 부도체인 잔사물을 비중별로 중력선별(gravity separation)하는 단계에서 상기 부도체인 잔사물을 고비중 잔사물, 중비중 잔사물, 또는 저비중 잔사물로 중력선별하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 크기별로 분류한 전도체인 바나듐과 상기 비중별로 중력선별하여 얻은 부도체인 고비중 잔사물을 합체하여 재연마(regrinding)하는 단계에서상기 재연마는 로드밀(rod mill)로 수행하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 11 항에 있어서,상기 재연마한 크기별로 분류한 전도체인 바나듐과 비중별로 중력선별하여 얻은 부도체인 고비중 잔사물의 합체물을 전도체인 바나듐과 부도체인 산화티탄으로 자력선별(magnetic separation)하는 단계에서상기 자력선별은 1회 이상 다시 자력선별(magnetic separation)하는 것을 특징으로 하는바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법으로 회수된 바나듐
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제 11 항, 제 13 항, 제 16 항, 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법으로 회수된 바나듐
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제 11 항, 제 13 항, 제 16 항, 제 18 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 바나듐티탄철광(VTM)에서 바나듐 직접 회수방법으로 회수된 산화티탄
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