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코어의 일 단부가 확장된 광섬유;전기 광학 결정과, 상기 전기 광학 결정의 제1 면에 위치하여 상기 코어의 상기 일 단부와 마주하는 제1 반사체와,상기 전기 광학 결정의 제2 면에 위치하는 제2 반사체를 포함하는 전기 광학 구조물을 포함하며, 상기 광 섬유로 제공된 빛이 상기 전기 광학 결정을 사이에 둔 상기 제1 반사체와 상기 제2 반사체에 의하여 공진하는 전자기파 프로브
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제1항에 있어서, 상기 전자기파 프로브는 상기 일 단부와 상기 제1 면을 결합하는 광학 접착제를 더 포함하는 전자기파 프로브
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제1항에 있어서, 상기 제1 반사체 및 상기 제2 반사체의 반사율은 10% 이상 95% 이하인 전자기파 프로브
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제1항에 있어서, 상기 광섬유와 상기 전기 광학 구조물의 광학적 결합계수는 0
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제1항에 있어서, 상기 코어를 통하여 전달되는 광에 대하여 상기 전기 광학 구조물이 반사하는 광의 성분(R)은 인 전자기파 프로브
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제1항에 있어서, 상기 전기 광학 결정은,전기 광학 효과를 가지는 굴절율의 축과 일치하는 편파(polarization)를 가지는 전자기파가 제공되었을 때 굴절율이 변화하는 물질인 전자기파 프로브
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제1항에 있어서, 상기 전기 광학 결정은,LT(lithium tantalate), LN(LiNbO3:lithium niobate), GA(GaAs:galium arsenide), ZT(ZnTe:zinc telluride), CT(CdTe:cadminum telluride) 및 DAST(4-N,N-dimethylamino-4-N-methyl-stilbazolium tosylate) 중 어느 하나인 전자기파 프로브
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제1항에 있어서, 상기 제1 반사체 및 상기 제2 반사체는 굴절률이 서로 다른 두 물질층이 적층되어 형성된 전자기파 프로브
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전자기파를 검출하는 전자기파 검출 장치로, 상기 전자기파 검출 장치는:광원;상기 광원에서 제공한 광을, 검출한 상기 전자기파에 상응하도록 변조하여 변조광을 출력하는 전자기파 프로브;상기 변조광을 검출하여 상응하는 전기적 신호로 출력하는 검출기 및 상기 전자기파 검출 장치를 제어하는 제어 장치를 포함하는 전자기파 검출 장치
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제9항에 있어서, 상기 전자기파 검출 장치는, 광 커플러(optical coupler)와,상기 변조광의 전력을 측정하여 측정 결과를 상기 제어 장치에 제공하는 광 파워 미터(optical power meter)를 더 포함하며, 상기 광 커플러는 제공된 변조광을 분할하여 상기 검출기와 상기 광 파워 미터에 제공하는 전자기파 검출 장치
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제9항에 있어서, 상기 전자기파 검출 장치는 상기 전기적 신호로부터 상기 변조광의 광학적 특성을 분석하여 상기 제어 장치에 제공하는 애널라이저(analyzer)를 더 포함하는 전자기파 검출 장치
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제9항에 있어서, 상기 제어 장치는 상기 광원이 제공하는 광의 파장을 제어하는 전자기파 검출 장치
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제12항에 있어서, 상기 제어 장치는 상기 광원의 온도를 제어하여 상기 광의 파장을 제어하는 전자기파 검출 장치
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제12항에 있어서,상기 전자기파 프로브는 코어의 일 단부가 확장된 광섬유;전기 광학 결정과, 상기 전기 광학 결정의 제1 면에 위치하여 상기 코어의 상기 일 단부와 마주하는 제1 반사체와,상기 전기 광학 결정의 제2 면에 위치하는 제2 반사체를 포함하는 전기 광학 구조물을 포함하며, 상기 광 섬유로 제공된 빛이 상기 전기 광학 결정을 사이에 둔 상기 제1 반사체와 상기 제2 반사체에 의하여 공진하는 전자기파 검출 장치
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제14항에 있어서, 상기 광섬유와 상기 전기 광학 구조물의 광학적 결합계수는 0
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제9항에 있어서, 상기 코어를 통하여 전달되는 광에 대하여 상기 전기 광학 구조물이 반사하는 광의 성분(R)은 인 전자기파 검출 장치
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제14항에 있어서, 상기 전기 광학 결정은,전기 광학 효과를 가지는 굴절율의 축과 일치하는 편파(polarization)를 가지는 전자기파가 제공되었을 때 굴절율이 변화하는 물질인 전자기파 검출 장치
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제14항에 있어서, 상기 전기 광학 결정은,리튬 탄탈레이트(LT, lithium tantalate), 리튬 나이오베이트(LN, LiNbO3:lithium niobate), 갈륨아세나이드(GaAs, galium arsenide), 징크 텔루라이드(ZT, ZnTe:zinc telluride), 카드뮴 텔루라이드(CdTe, cadminum telluride) 및 DAST(4-N,N-dimethylamino-4-N-methyl-stilbazolium tosylate) 중 어느 하나인 전자기파 검출 장치
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제9항에 있어서, 상기 제어 장치는 제공된 광의 파장에 대하여 반사광 성분이 10 % 내지 60%인 영역 내의 어느 한 점을 동작점으로 설정하는 전자기파 검출 장치
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제19항에 있어서, 상기 제어 장치는,상기 광원이 상기 동작점에 해당 하는 광의 파장을 제공하도록 제어하는 전자기파 검출 장치
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