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질소 산화물 제거를 위한 플라즈마 시스템

  • 기술번호 : KST2022001371
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질소 산화물을 포함하는 가스가 주입되는 주입부; 고전압 전극; 접지 전극; 상기 고전압 전극과 접지 전극 사이에 형성되는 플라즈마 발생부; 및 가스 배출부를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 반응기를 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는 고전압 전극과 접지 전극 사이에 흡착제를 포함하는 흡착부; 및 접지 전극이 나사선 형태를 가지는 나사선부;를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템이 개시된다.
Int. CL B01D 53/32 (2006.01.01) B01D 53/04 (2006.01.01) H05H 1/24 (2006.01.01)
CPC B01D 53/32(2013.01) B01D 53/04(2013.01) H05H 1/2406(2013.01) B01D 2259/818(2013.01) B01D 2257/40(2013.01) B01D 2251/104(2013.01) H05H 1/2406(2013.01)
출원번호/일자 1020200091036 (2020.07.22)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0012020 (2022.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진섭 인천광역시 연수구
2 이병진 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0765900-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0231265-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0982406-53
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.01.28 1-1-2022-0112687-36
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0112697-93
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번호 청구항
1 1
질소 산화물을 포함하는 가스가 주입되는 주입부; 고전압 전극; 접지 전극; 상기 고전압 전극과 접지 전극 사이에 형성되는 플라즈마 발생부; 및 가스 배출부를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 반응기를 포함하고,상기 플라즈마 발생부는 고전압 전극과 접지 전극 사이에 흡착제를 포함하는 흡착부; 및 접지 전극이 나사선 형태를 가지는 나사선부;를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
2 2
제1항에 있어서,상기 플라즈마 반응기는 고전압 전극과 접지 전극 사이에 형성된 유전체를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
3 3
제2항에 있어서,상기 나사선부는 유전체와 접촉된 것을 특징으로 하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
4 4
제1항에 있어서,상기 흡착부는 주입부 측으로 형성되고, 상기 나사선부는 흡착부 후단에 연장되어 형성된 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
5 5
제1항에 있어서,상기 플라즈마 시스템은,질소 산화물을 포함하는 가스를 전처리하기 위한 전처리부를 포함하고,상기 전처리부는,질소 산화물을 포함하는 가스가 주입되는 처리대상 가스 주입부; 산소 주입부를 포함하는 오존 발생기; 및상기 처리대상 가스 주입부 및 오존 발생기로부터 가스가 주입되어 혼합 처리하는 혼합 반응기;를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
6 6
제1항에 있어서,상기 플라즈마 시스템은 플라즈마 반응기를 냉각시키기 위한 냉각부를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
7 7
제6항에 있어서,상기 냉각부는 흡착제부는 냉각시키지 않고, 나사선부를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
8 8
제1항에 있어서,상기 플라즈마 반응기는 반응기 내 질소를 주입하기 위한 질소 주입부를 포함하는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
9 9
제1항에 있어서,상기 플라즈마 시스템은,상기 플라즈마 반응기; 및적어도 1개 이상의 플라즈마 방전이 수행되는 반응기를 더 포함하고,적어도 1개 이상의 반응기는 병렬로 연결되어 밸브를 통해 질소 산화물을 포함하는 가스가 주입되는 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템
10 10
제1항의 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템을 준비하여, 플라즈마 반응기의 주입부로 질소 산화물을 포함하는 가스를 투입하는 단계; 및상기 플라즈마 반응기 내로 주입된 가스의 질소 산화물을 제거하는 단계;를 포함하는 질소 산화물 제거방법
11 11
제10항에 있어서,상기 플라즈마 반응기 내로 주입된 가스의 질소 산화물은 흡착부에서 흡착되고, 나사선부에서 플라즈마 방전을 통해 발생하는 열로 제거되는 질소 산화물 제거방법
12 12
제10항에 있어서,상기 플라즈마 반응기 내로 주입된 가스는 흡착부에서 질소 산화물이 흡착되면 질소를 주입하여 산소가 없는 조건으로 형성하여 흡착된 질소 산화물을 분해하는 질소 산화물 제거방법
13 13
제5항의 질소 산화물을 제거하기 위한 플라즈마 시스템을 준비하여, 처리대상 가스 주입부로 질소 산화물을 포함하는 가스를 주입하여 전처리하는 단계;플라즈마 반응기의 주입부로 전처리된 가스를 투입하는 단계; 및상기 플라즈마 반응기 내로 주입된 전처리된 가스의 질소 산화물을 제거하는 단계;를 포함하는 질소 산화물 제거방법
14 14
제13항에 있어서,상기 전처리된 가스는 질소 산화물 중 일산화질소가 제거되고, 이산화질소를 포함하는 것인 질소 산화물 제거방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.