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기판;상기 기판의 상면에 배치되고, 적어도 하나의 활성 영역을 포함하는 제 1 반도체층;상기 활성 영역에 배치되는 활성층;상기 활성층의 상면에 상기 제 1 반도체층 및 상기 활성층과 함께 반도체 셀을 이루도록 배치되는 제 2 반도체층;상기 반도체 셀의 외측면을 둘러싸도록 배치되는 패시베이션층; 및상기 패시베이션층을 둘러싸도록 배치되고, 상기 반도체 셀의 내부 영역으로부터 상기 패시베이션층을 경유하여 입사되는 광을 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키는 반사층을 포함하는 마이크로 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션층은,산화물 또는 질화물을 포함하고,상기 패시베이션층의 두께는 하기식을 만족하도록 상기 반도체 셀에서 발생되는 광의 최대 발광 파장과 상기 패시베이션층의 굴절율을 기반으로 설정되는 마이크로 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 반사층은,p-type 금속 물질을 포함하고,상기 패시베이션층의 외측면을 둘러싸도록 배치되되, 상기 입사되는 광을 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키는 수직 반사층; 및상기 수직 반사층과 일체로 형성되되, 상기 수직 반사층과 전기적으로 연결되는 상부 전극층을 포함하는 마이크로 발광소자
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제 3 항에 있어서,상기 반도체 셀의 측벽 영역은 상기 반도체 셀의 일부, 상기 패시베이션층 및 상기 반사층으로 구성된 전방위 반사경 구조를 포함하는 마이크로 발광소자
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제 4 항에 있어서,상기 전방위 반사경 구조는,상기 반도체 셀의 내부 영역으로부터 상기 패시베이션층으로 입사되는 제 1 광 중 일부를 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키고,상기 제 1 광 중 상기 패시베이션층을 경유하여 상기 반사층으로 입사되는 광을 상기 반사층에 의해 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키고,상기 패시베이션층에 의해 반사된 제 2 광과, 상기 반사층에 의해 반사된 제 3 광 간에 보강간섭이 일어나도록 설계되는 마이크로 발광소자
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제 5 항에 있어서,상기 반도체 셀의 내부 영역에서는,상기 전방위 반사경 구조에 의해 반사되는 반사광이 하기식으로 정의되는 공진 조건을 만족함에 따라 공진되는 Micro-cavity 공진 현상이 발생하는 마이크로 발광소자
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제 6 항에 있어서,상기 Micro-cavity 공진 현상에 의해 증폭된 광은 상기 반도체 셀의 상측 방향으로 방출되고,상기 활성층의 최대 폭은 상기 공진 조건을 만족하여 발생되는 상기 Micro-cavity 공진 현상이 일어날 수 있도록 설정되는 마이크로 발광소자
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마이크로 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,기판의 상면에 적어도 하나의 활성 영역을 포함하는 제 1 반도체층을 형성하는 단계;상기 활성 영역에 활성층을 배치하는 단계;상기 활성층의 상면에 상기 제 1 반도체층 및 상기 활성층과 함께 반도체 셀을 이루도록 제 2 반도체층을 배치하는 단계;상기 반도체 셀의 외측면을 둘러싸도록 패시베이션층을 배치하는 단계; 및상기 반도체 셀의 내부 영역으로부터 상기 패시베이션층을 경유하여 입사되는 광을 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사시키는 반사층을 상기 반도체 셀을 둘러싸도록 배치하는 단계를 포함하는 마이크로 발광소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 반사층을 배치하는 단계 이후에,상기 반도체 셀의 측벽 영역은 상기 반도체 셀의 일부, 상기 패시베이션층 및 상기 반사층으로 구성된 전방위 반사경 구조를 포함하는 마이크로 발광소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 활성 영역에 활성층을 배치하는 단계는,하기식을 만족하여 발생되는 Micro-cavity 공진 현상이 일어날 수 있도록 상기 활성층의 최대 폭을 설정하는 단계를 포함하는 마이크로 발광소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 패시베이션층을 배치하는 단계는,하기식을 만족하도록 상기 반도체 셀에서 발생되는 광의 최대 발광 파장과 상기 패시베이션층의 굴절율을 기반으로 상기 패시베이션층의 두께를 설정하는 단계를 포함하는 마이크로 발광소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 반사층을 배치하는 단계는,상기 입사되는 광을 상기 반도체 셀의 내부 영역을 향하도록 반사키는 수직 반사층을 상기 패시베이션층의 외측면을 둘러싸도록 배치하는 단계; 및상기 수직 반사층과 전기적으로 연결되는 상부 전극층을 상기 수직 반사층과 일체로 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 발광소자 제조방법
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