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직경이 300nm 이하인 미세 입자를 포집하는 미세 입자 포집부; 및상기 미세 입자 포집부로부터 감지 신호를 수신하고, 상기 감지 신호로부터 포집한 상기 미세 입자의 정보를 매칭하는 프로세서를 포함하고,상기 미세 입자 포집부는 평면 상에서 상이한 형태를 갖는 적어도 2개의 전도체층 및 상기 적어도 2개의 전도체층 사이에 제공되며 상기 전도체층의 적어도 일부를 노출하는 절연체층을 포함하는, 입자 포집 장치
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제1항에 있어서,상기 미세 입자 포집부는제1 전도체층; 상기 제1 전도체층 상에 제공된 절연체층; 및 상기 절연체층 상에 제공된 제2 전도체층을 포함하고,상기 절연체층은 10 nm 이상의 두께를 가지며,상기 절연체층은 적어도 일부 영역이 제거되어 상기 제1 전도체층을 노출시키는 절연체층 개구부를 포함하고,상기 제2 전도체층은 적어도 일부 영역이 제거되어 상기 제1 전도체층 및 상기 절연체층을 노출시키는 제2 전도체층 개구부를 포함하는, 입자 포집 장치
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제2항에 있어서,상기 미세 입자는 상기 제1 전도체층에 부착되고,상기 미세 입자 포집부는 상기 제1 전도체층에 상기 미세 입자가 부착되기 전후의 전기 전도성 차이를 감지하는, 입자 포집 장치
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제3항에 있어서,상기 프로세서가 수신하는 감지 신호는 상기 미세 입자 포집에 따라 변화되는 전기 전도도, 주파수, 전압 크기 중 적어도 하나를 포함하고,상기 프로세서는 상기 감지 신호의 변화의 기울기를 산출하고, 저장된 상기 감지 신호의 변화의 기울기와 매칭하여 상기 미세 입자의 종류를 판별하는, 입자 포집 장치
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제2항에 있어서,상기 절연체층 개구부 및 상기 제2 전도체층 개구부는 평면 상에서 대응되는 형태를 갖는, 입자 포집 장치
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제5항에 있어서,상기 절연체층 개구부 및 상기 제2 전도체층 개구부는 각각 독립적으로 50 nm2 내지 10,000 ㎛2의 면적을 갖는, 입자 포집 장치
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제2항에 있어서,상기 입자 포집 장치는 상기 미세 입자 포집부를 복수 개 포함하고,복수 개의 상기 미세 입자 포집부는 각각 독립적으로 또는 일괄적으로 작동되는, 입자 포집 장치
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제7항에 있어서,상기 미세 입자 포집부는서로 이격되어 제공되는 복수 개의 상기 제1 전도체층;복수 개의 상기 절연체층 개구부를 포함하는 절연체층; 및복수 개의 상기 제2 전도체층 개구부를 포함하는 제2 전도체층을 포함하는, 입자 포집 장치
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미세 입자 포집부에 전기를 인가하여 불균일 전기장을 형성하는 제1 단계;상기 불균일 전기장을 이용하여 미세 입자를 상기 미세 입자 포집부에 포집하는 제2 단계; 및프로세서를 통해 상기 미세 입자 포집부에 포집된 상기 미세 입자에 의해 발생되는 감지 신호를 감지하여 미세 입자 포집 여부를 판단하는 제3 단계를 포함하는, 입자 센싱 방법
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제9항에 있어서,상기 미세 입자 포집부는제1 전도체층; 상기 제1 전도체층 상에 제공된 절연체층; 및 상기 절연체층 상에 제공된 제2 전도체층을 포함하고,상기상기 절연체층은 적어도 일부 영역이 제거되어 상기 제1 전도체층을 노출시키는 절연체층 개구부를 포함하고,상기 제2 전도체층은 적어도 일부 영역이 제거되어 상기 제1 전도체층 및 상기 절연체층을 노출시키는 제2 전도체층 개구부를 포함하고,상기 불균일 전기장은 상기 제2 전도체층과 상기 제1 전도체층의 형상 차이에 의해 발생되는, 입자 센싱 방법
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제10항에 있어서,상기 미세 입자는 상기 제1 전도체층에 부착되고,상기 미세 입자 포집부는 상기 제1 전도체층에 상기 미세 입자가 부착되기 전후의 전기 전도성 차이를 감지하는, 입자 센싱 방법
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제11항에 있어서,상기 프로세서가 감지하는 감지 신호는 상기 미세 입자 포집에 따라 변화되는 전기 전도도, 주파수, 전압 크기 중 적어도 하나를 포함하고,상기 프로세서는 상기 감지 신호의 변화의 기울기를 산출하고, 저장된 상기 감지 신호의 변화의 기울기와 매칭하여 상기 미세 입자의 종류를 판별하는, 입자 센싱 방법
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