| 1 |
1
탄소재 분산액을 제조하는 단계;상기 탄소재 분산액을 이용하여 탄소계 지지체를 형성하는 단계;상기 탄소계 지지체 상에 분리층을 형성하는 단계; 및상기 분리층의 표면을 개질하는 단계;를 포함하고,상기 분리층의 표면을 개질하는 단계는,폴리도파민(polydopamine), 폴리우레탄(polyurethane) 또는 둘 다를 포함하는 고분자로 코팅하거나,폴리 디알릴디메틸암모늄 클로라이드(poly(diallyldimethylammonium chloride)), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 폴리 알릴아민 하이드로클로라이드(poly(allylamine hydrochloride))로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 양이온 폴리 일렉트롤라이트로 코팅하거나,폴리아크릴릭 액시드(polyacrylic acid), 폴리스타이렌 설포네이트(polystyrene sulfonate) 및 폴리 비닐 설페이트(poly(vinyl sulfate))로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 음이온 폴리 일렉트롤라이트로 코팅하는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 탄소재 분산액은,탄소나노튜브, 탄소나노리본, 풀러렌, 탄소양자점, 탄소나노섬유, 산화그래핀, 환원그래핀, 그래핀 및 그래파이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 탄소재를 포함하는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 탄소재 분산액은,소듐 도데실 설페이트(SDS, sodium dodecyl sulfate), 소듐 도데실벤젠술포네이트 (NaDDBS, Sodium dodecylbenzenesulfonate), 세트리모늄 브로마이드(CTAB, cetrimonium bromide), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB, dodecyltrimethylammonium bromide), 세트리모늄 클로라이드(CTACl, cetrimonium chloride), 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르(polyoxyethylene lauryl ether), 폴리옥시프로필렌폴리옥시에틸렌 공중합체(polyoxypropylenepolyoxyethylene) 및 폴리옥시에틸렌 글리콜 tert-옥틸페닐 에테르(polyethylene glycol tert-octylphenyl ether)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 분산제를 포함하는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 탄소재 분산액의 상기 탄소재의 농도는, 5 g/L 이하인 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 탄소계 지지체를 형성하는 단계는,상기 탄소재 분산액을 셀룰로오스 아세테이트(cellulose acetate), 나일론(nylon), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride), 폴리에스터(polyester), 폴리카보네이트 트랙 에치드(polycarbonate track etched), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene) 및 폴리카보네이트(polycarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 고분자 여과지를 통해 진공 여과하는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 고분자 여과지는, 화학적 습식, 플라즈마 또는 iCVD를 통해 표면이 개질된 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 탄소계 지지체는, 친수성 또는 소수성인 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 분리층은,그래핀, 산화 그래핀, 환원 그래핀, 산화 그래핀 나노리본, 환원 그래핀 나노리본, 전이금속 칼코게나이드, 탄화질소 및 멕신(MXene)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 분리층을 형성하는 단계는,진공 여과, 스프레이 코팅 및 닥터 블레이딩으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 방법으로 수행되는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 분리층을 형성하는 단계 이후에, 상기 분리층이 형성된 탄소계 지지체를 회수하는 단계;를 더 포함하고,상기 회수하는 단계는, 열 건조, 진공 건조 및 동결 건조로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 방법을 통해 수행되는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 분리층을 형성하는 단계 이후에,상기 탄소계 지지체 및 상기 분리층 사이의 가교결합을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이고,상기 가교결합을 형성하는 단계는, 상기 탄소계 지지체 및 상기 분리층을 습식 CVD 처리, 플라즈마 처리 또는 iCVD 처리하는 것인,선택투과성 분리막의 제조방법
|
| 13 |
13
탄소계 지지체; 및상기 탄소계 지지체 상에 형성된 분리층;을 포함하고,제1항 내지 제10항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 것인,선택투과성 분리막
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 탄소계 지지체의 두께는, 10 ㎛ 내지 50 ㎛인 것이고,상기 분리층의 두께는, 10 ㎚ 내지 10 ㎛인 것인,선택투과성 분리막
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 선택투과성 분리막은, 투습도가 3,500 g m-2 day-1 이상이고, DMMP에 대한 투과도가 100 g m-2 day-1 이하인 것인,선택투과성 분리막
|
| 16 |
16
외피; 및상기 외피에 덧대어 형성된 선택투과성 분리막;을 포함하고,상기 선택투과성 분리막은, 제13항에 따른 선택투과성 분리막인 것인,화생방 보호 피복
|
