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폴리디마이트(Ni3S4), 파이라이트(NiS2) 및 산화몰리브덴(MoOx) 복합체로 개질된 D-페니실아민 검출용 유리탄소전극
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제 1 항에 있어서,상기 복합체는 1 내지 6 μm 평균입경을 갖는 미소구체인 것을 특징으로 하는, D-페니실아민 검출용 유리탄소전극
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제 2 항에 있어서,상기 미소구체는 미소구체의 표면에 평균두께가 10 내지 50 nm 이고, 평균입경이 100 내지 500 nm인 나노박편(nanoflake)이 뒤얽혀 있는 것을 특징으로 하는, D-페니실아민 검출용 유리탄소전극
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제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항의 유리탄소전극을 포함하는, D-페니실아민 검출용 센서
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제 4 항에 있어서, 상기 센서는 호모시스테인(HA), 시스테인(CySH), 글루타치온(GLT), 아스코르빈산(AA), 요산(UA), 질산나트륨(NaNO3), 포도당(GLU) 및 과당(FA)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물에 대해 간섭 내성을 갖는 것을 특징으로 하는, D-페니실아민 검출용 센서
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제 4 항에 있어서, 상기 센서는 아스코르빅산(AA), 요산(UA), 질산나트륨(NaNO3), 포도당(GLU) 및 과당(FA)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물에 대해 간섭 내성을 갖는 것을 특징으로 하는, D-페니실아민 검출용 센서
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7
(a) 질산니켈 6수화물(Ni(NO3)2·6H2O), 티오아세트아미드(Thioacetamide), 몰리브덴산암모늄((NH4)6Mo7O24·4H2O) 및 삼블록 공중합체(triblock copolymer)를 혼합하고 교반하여 반응혼합물을 제조하는 단계;(b) 상기 반응혼합물을 반응시켜 폴리디마이트(Ni3S4), 파이라이트(NiS2) 및 산화몰리브덴(MoOx) 복합체 전구체를 제조하는 단계; (c) 제조된 복합체 전구체를 세척하여 미반응 물질과 불순물을 제거하고 건조시켜 폴리디마이트(Ni3S4), 파이라이트(NiS2) 및 산화몰리브덴(MoOx) 복합체를 제조하는 단계; 및(d) 상기 폴리디마이트(Ni3S4), 파이라이트(NiS2) 및 산화몰리브덴(MoOx) 복합체를 포함하는 현탁액을 유리탄소전극 상에 적하(dropcast)하여 폴리디마이트(Ni3S4), 파이라이트(NiS2) 및 산화몰리브덴(MoOx) 복합체로 개질된 유리탄소전극을 제조하는 단계;를 포함하는, D-페니실아민 검출용 유리탄소전극의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 질산니켈·6수화물, 티오아세트아미드, 티오아세트아미드, 삼블록 공중합체의 사용량은 2 내지 4 : 0
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제 7 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 100 내지 300℃의 반응온도 조건에서 12 내지 36시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는, D-페니실아민 검출용 유리탄소전극의 제조방법
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10
제 7 항에 있어서, 상기 Ni3S4/NiS2/MoOx 복합체는 1 내지 6 μm 평균입경을 갖는 미소구체이며, 상기 미소구체의 표면은 평균두께가 10 내지 50 nm 이고 평균입경이 100 내지 400 nm인 나노박편(nanoflake)이 뒤얽혀 있는 것을 특징으로 하는, D-페니실아민 검출용 유리탄소전극의 제조방법
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