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제1트랜지스터, 제2트랜지터, 제1용량과 제2용량으로 구성되고, 상기 제1트랜지스터의 드레인은 한 스캔 라인에 연결되고, 소오스는 리드 아웃선에 연결되며,상기 제1용량의 일단은 한 스캔 라인에 연결되고 타단은 제2용량의 일단에 직렬로 연결되고, 상기 제2용량의 타단은 접지전극에 연결되며,상기 제1용량과 제2용량 간의 노드 A에 상기 제1트랜지스터의 게이트가 연결되며,상기 제2트랜지스터 드레인은 상기 한 스캔 라인에 연결하고 소오스는 노드 A에 연결하며, 게이트 전극은 다른 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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2 |
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제1항에 있어서,상기 한 스캔 라인은 N번째 스캔 라인이고, 상기 다른 스캔 라인은 N+1번째 스캔 라인인 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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3 |
3
제2항에 있어서,상기 N번째 스캔 라인이 온상태이면 상기 N+1번째 스캔 라인은 오프상태이고, 상기 N번째 스캔 라인이 오프상태가 되면 상기 N+1번째 스캔 라인은 온상태가 되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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4 |
4
제1트랜지스터, 제2트랜지터, 제1용량과 제2용량으로 구성되고, 상기 제1트랜지스터의 드레인은 리드 아웃선에 연결되고 소오스는 Vss에 연결되며,상기 제1용량의 일단은 한 스캔 라인에 연결되고 타단은 제2용량의 일단에 직렬로 연결되고, 상기 제2용량의 타단은 접지전극에 연결되며,상기 제1용량과 제2용량 간의 노드 A에 상기 제1트랜지스터의 게이트가 연결되며,상기 제2트랜지스터 드레인은 상기 한 스캔 라인에 연결하고 소오스는 노드 A에 연결하며, 게이트 전극은 다른 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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5 |
5
제4항에 있어서,리셋 트랜지스터가 리드 아웃선과 VDD 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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6 |
6
제4항에 있어서,상기 한 스캔 라인은 N번째 스캔 라인이고, 상기 다른 스캔 라인은 N+1번째 스캔 라인인 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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7 |
7
제6에 있어서,상기 N번째 스캔 라인이 온상태이면 상기 N+1번째 스캔 라인은 오프상태이고, 상기 N번째 스캔 라인이 오프상태가 되면 상기 N+1번째 스캔 라인은 온상태가 되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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8 |
8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 제1트랜지스터의 소오스가 N-1번째 스캔 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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9 |
9
제1트랜지스터, 제2트랜지터, 제1용량과 제2용량으로 구성되고,상기 제1트랜지스터의 드레인은 한 스캔 라인에 연결되고 소오스는 Vss에 연결되며,상기 제1용량의 일단은 상기 한 스캔 라인에 연결되고 타단은 제2용량의 일단에 직렬로 연결되고, 상기 제2용량의 타단은 접지전극에 연결되며,상기 제1용량과 제2용량 간의 노드 A에 상기 제1트랜지스터의 게이트가 연결되며,상기 제2트랜지스터 드레인은 상기 한 스캔 라인에 연결하고 소오스는 노드 A에 연결하며, 게이트 전극은 다른 스캔 라인에 연결되며,상기 제1트랜지스터의 소오스는 또한 인버터의 입력으로 연결되고, 그 소오스 전극과 Vss 간에 제3용량이 더 설치되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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10 |
10
제9항에 있어서,상기 한 스캔 라인은 N번째 스캔 라인이고, 상기 다른 스캔 라인은 N+1번째 스캔 라인인 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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11 |
11
제10항에 있어서,상기 N번째 스캔 라인이 온상태이면 상기 N+1번째 스캔 라인은 오프상태이고, 상기 N번째 스캔 라인이 오프상태가 되면 상기 N+1번째 스캔 라인은 온상태가 되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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12
제9항에 있어서,상기 인버터는 제3 및 제4트랜지스터로 구성되고, 상기 제3트랜지스터의 게이트와 드레인은 상기 한 스캔 라인에 연결되고 소오스는 상기 제4트랜지스터의 드레인이 연결되며, 상기 제4트랜지스터의 소오스는 Vss에 연결되고 게이트는 상기 제1트랜지스터의 소오스에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기용량 화소 센서 회로
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