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실록신(siloxene) 및 알긴산염을 반응시켜 실리콘 옥시 카바이드를 얻는 반응 단계;상기 실리콘 옥시 카바이드, 전도성 탄소재료 및 바인더를 혼합하여 전극물질 슬러리를 제조하는 슬러리 제조단계; 및상기 전극물질 슬러리를 기재 상에 코팅하고 건조하여 실리콘 옥시 카바이드 박막층을 제조하는 박막층 제조단계;를 포함하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실록신(siloxene)은 칼슘실리사이드를 함유하는 전구체를 산에 침지하여 칼슘을 용해시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제2항에 있어서,상기 산은 4℃ 이하의 강산인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실록신(siloxene) 및 알긴산염의 중량비는 1:5 내지 1:20인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반응 단계는 실록신(siloxene) 및 알긴산염을 미세분말로 분쇄하는 분쇄 단계;상기 미세분말을 1 내지 5℃의 가열속도로 가열하여 180 내지 220℃에서 1 내지 5시간 동안 어닐링하는 어닐링 단계; 및상기 어닐링된 미세분말을 5 내지 20℃의 가열속도로 가열하여 850 내지 950℃에서 4 내지 8시간 동안 열 처리하는 열 처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제5항에 있어서,상기 열 처리 단계는 비활성 기체 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전극물질 슬러리는 상기 실리콘 옥시 카바이드를 60 내지 96중량%로 함유하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 옥시 카바이드는 회절피크가 20 내지 30°인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 옥시 카바이드는 FT-IR 분석 시 1390 내지 1430cm-1 및 1600 내지 1700cm-1에서 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 옥시 카바이드는 브루나우어-에메트-텔러(Brunauer-Emmett-Teller) (BET) 표면적이 5
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제1항에 있어서,상기 실리콘 옥시 카바이드는 XPS 분석으로 확인한 O/Si 원자 비율이 1 내지 1
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제1항에 있어서,상기 슈퍼커패시터 제조방법은 전극 제조단계 이후에 분리막 배치단계와 전해액 주입단계를 더 포함하고, 상기 전해액은 TEABF4 또는 Li2SO4를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 제조방법
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실리콘 옥시 카바이드, 전도성 탄소재료 및 바인더를 포함하는 전극물질을 함유하는 2 이상의 전극, 상기 전극 사이에 위치하는 분리막 및 전해액을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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제13항에 있어서,상기 슈퍼커패시터는 10 내지 25mJ/cm2의 에너지밀도를 갖고, 5,000 내지 20,000W/kg의 전력밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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