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(a) 단결정 벌크 베타 산화갈륨 기판(bulk β-Ga2O3 substrate}으로부터 베타 산화갈륨 결정을 기계적으로 박리하는 단계;(b) 박리된 상기 베타 산화갈륨 결정의 일면에 금속층을 접합하는 단계;(c) 금속판을 캐소드(cathode)로 하고, 상기 금속층이 접합된 상기 베타 산화갈륨 결정을 애노드(anode)로 하여, 상기 캐소드와 상기 애노드를 전원에 연결하는 단계; 및(d) 상기 캐소드와 상기 애노드를 전해질 용액 내에 침지시키고, 상기 베타 산화갈륨 결정에 자외선(UV)를 조사하면서 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 베타 산화갈륨 결정의 일면에 Ti 및 Au를 순차적으로 증착하여 Ti/Au 층을 형성하는 단계; 및상기 Ti/Au 층과 상기 베타 산화갈륨 결정 사이에 오믹 접합(Ohmic contact)이 형성되도록 어닐링(annealing)하는 단계;를 포함하는 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속판은, 메쉬 구조(mesh-structure)의 백금판(Pt plate)인 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계에서, 인가되는 상기 전압은 15 ~ 30 V인 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계에서, 상기 전해질 용액은, 물(H2O)을 용매로, HF, NaOH, HNO3, H3PO4, 및 H2SO4 로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 전해질이 용해된 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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청구항 5에 있어서,상기 전해질 용액은, 상기 H3PO4가 80 ~ 90 wt%로 용해된 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계에서, 상기 전해질 용액은, 120 ~ 160 ℃의 온도로 유지되는 베타 산화갈륨의 결함 제거방법
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