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제1 코팅막;상기 제1 코팅막 상의 제1 이온성 액막;상기 제1 이온성 액막 상의 제2 이온성 액막; 및상기 제2 이온성 액막 상의 제2 코팅막;을 포함하는 것인, 복합 분리막
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청구항 1에 있어서,상기 제1 이온성 액막은 제1 다공성 지지체 및 상기 제1 다공성 지지체에 함침된 제1 이온성 액체를 포함하는 것이고, 상기 제2 이온성 액막은 제2 다공성 지지체 및 상기 제2 다공성 지지체에 함침된 제2 이온성 액체를 포함하는 것이며,상기 제1 이온성 액체 및 제2 이온성 액체는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 질소 함유 방향족 고리계 양이온 및 4급 암모늄 중에서 선택되는 적어도 하나의 양이온과 플루오르 함유 음이온을 포함하는 것인, 복합 분리막
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청구항 2에 있어서,상기 질소 함유 방향족 고리계 양이온은 디알킬이미다졸륨, 디알킬피리디늄, 디알킬피페리디늄, 및 디알킬피롤리디늄 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 4급 암모늄은 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 복합 분리막:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 10 이하의 알킬기일 수 있다
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청구항 3에 있어서,상기 디알킬이미다졸륨, 디알킬피리디늄, 디알킬피페리디늄 및 디알킬피롤리디늄의 두 개의 알킬기 중 적어도 하나의 알킬기의 탄소수가 4 이상인 것인, 복합 분리막
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청구항 3에 있어서,상기 디알킬이미다졸륨, 디알킬피리디늄, 디알킬피페리디늄 및 디알킬피롤리디늄의 두 개의 알킬기 중 하나의 알킬기의 탄소수는 3 이하이고, 다른 하나의 알킬기의 탄소수는 4 이상인 것인, 복합 분리막
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청구항 2에 있어서,상기 플루오르 함유 음이온은 플루오르 함유 이미드계 음이온, 플루오르 함유 포스페이트계 음이온, 플루오르 함유 보론계 음이온, 및 플루오르 함유 술폰계 음이온 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 복합 분리막
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청구항 2에 있어서,상기 플루오르 함유 음이온은 하기 화학식 2로 표시되는 음이온, 헥사플루오로포스페이트 (PF6-), 테트라플루오로보레이트 (BF4-), 및 노나플레이트 (nonaflate) (CF3(CF2)3SO3-) 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 복합 분리막: [화학식 2]상기 화학식 2에 있어서,상기 R5 및 R6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 적어도 하나의 플루오르기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다
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청구항 1에 있어서,상기 제1 코팅막 및 제2 코팅막은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오르 함유 고분자를 포함하는 것인, 복합 분리막
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9
청구항 1에 있어서,상기 다공성 지지체는 소수성 고분자를 포함하는 것인, 복합 분리막
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i) 제1 이온성 액막의 일면에 제1 코팅막이 배치된 제1 도포체를 형성하는 단계;ii) 제2 이온성 액막의 일면에 제2 코팅막이 배치된 제2 도포체를 형성하는 단계; 및iii) 상기 제1 도포체 중의 상기 제1 이온성 액막의 타면과 상기 제2 도포체 중의 상기 제2 이온성 액막의 타면을 접합시키는 단계;를 포함하는 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 i) 단계는, 제1 다공성 지지체의 일면에 제1 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 다공성 지지체의 타면에 제1 이온성 액체를 함침시키는 단계를 포함하는 것이고,상기 ii) 단계는, 제2 다공성 지지체의 일면에 제2 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 다공성 지지체의 타면에 제2 이온성 액체를 함침시키는 단계를 포함하는 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 제1 코팅막 및 제2 코팅막은 스핀코팅에 의하여 형성되는 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 제1 이온성 액체 및 제2 이온성 액체는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 질소 함유 방향족 고리계 양이온 및 4급 암모늄 중에서 선택되는 적어도 하나의 양이온과 플루오르 함유 음이온을 포함하는 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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청구항 13에 있어서,상기 질소 함유 방향족 고리계 양이온은 디알킬이미다졸륨, 디알킬피리디늄, 디알킬피페리디늄, 및 디알킬피롤리디늄 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 4급 암모늄은 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 복합 분리막의 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 10 이하의 알킬기일 수 있다
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청구항 14에 있어서,상기 디알킬이미다졸륨, 디알킬피리디늄, 디알킬피페리디늄 및 디알킬피롤리디늄의 두 개의 알킬기 중 하나의 알킬기의 탄소수는 3 이하이고, 다른 하나의 알킬기의 탄소수는 4 이상인 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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청구항 13에 있어서,상기 플루오르 함유 음이온은 하기 화학식 2로 표시되는 음이온, 헥사플루오로포스페이트 (PF6-), 테트라플루오로보레이트 (BF4-), 및 노나플레이트 (nonaflate) (CF3(CF2)3SO3-) 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 복합 분리막의 제조 방법:[화학식 2]상기 화학식 2에 있어서,상기 R5 및 R6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 적어도 하나의 플루오르기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다
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청구항 10에 있어서,상기 제1 코팅막 및 제2 코팅막은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오르 함유 고분자를 포함하는 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 다공성 지지체는 소수성 고분자를 포함하는 것인, 복합 분리막의 제조 방법
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양극;음극; 및청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 따른 복합 분리막을 포함하는 것인, 이차 전지
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청구항 19에 있어서,산화 환원 흐름 전지인 것인, 이차 전지
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