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무기 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 공정

  • 기술번호 : KST2022001910
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 금속 양이온 및 음이온을 포함하는 금속염; 칼코겐 원소를 포함하는 유기 전구체; 및 용매; 를 포함하고, 상기 음이온은 산화제 및/또는 고흡광성 물질인 것인, 무기 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
Int. CL G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210153702 (2021.11.10)
출원인 성균관대학교산학협력단, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0018955 (2022.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200099211   |   2020.08.07
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2021-0030080 (2021.03.08)
관련 출원번호 1020210030080
심사청구여부/일자 Y (2021.11.10)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김명길 서울특별시 강남구
2 르민눗 경기도 수원시 장안구
3 황찬국 경상북도 포항시 남구
4 이은숙 경상북도 포항시 북구
5 정대성 경상북도 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2021.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2021-1294951-08
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0183088-09
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-1362087-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 양이온 및 음이온을 포함하는 금속염;칼코겐 원소를 포함하는 유기 전구체; 및용매;를 포함하는 무기 포토레지스트에 있어서, 상기 음이온은 산화제 및/또는 고흡광성 물질이고, 상기 음이온이 라디컬 산화제로 작용하여 1 mJ/cm2 내지 100 mJ/cm2 의 극자외선 조사 시 상기 무기 포토레지스트의 광화학 반응 감도가 증폭되는 것인, 무기 포토레지스트
2 2
금속 양이온 및 음이온을 포함하는 금속 염, 칼코겐 원소를 포함하는 유기 전구체 및 제 1 용매를 포함하는 무기 포토레지스트 조성물을 기판 상에 코팅하여 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 열처리 하는 단계;상기 박막 상에 마스크를 배치한 후 1 mJ/cm2 내지 100 mJ/cm2 의 극자외선 을 조사하는 단계; 및상기 박막을 제 2 용매에 담지하는 단계;를 포함하고,상기 음이온은 산화제 및/또는 고흡광성 물질인 것인,포토리소그래피 공정
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 나노미래소재원천기술개발(R＆D) 고흡광 금속 화합물 기반 EUV, BEUV 비정질 건식 포토레지스트 소재 개발
2 산업통상자원부 (주)비아트론 소재부품산업미래성장동력(R＆D) 광열안정성 확보를 위한 용액형 산화물 TFT반도체층의 저온 성막 기술 및 열처리 장비용 핵심 기술 개발
3 과학기술정보통신부 포항공과대학교 포항가속기연구소 나노미래소재원천기술개발(R＆D) 실시간 평가 기반 1.5nm 노드급 EUV, BEUV비정질 포토레지스트 건식 공정기술 개발
4 과학기술정보통신부 포항공과대학교 미래소재디스커버리지원(R＆D) 저온 합성된 반데르발스 층상 소재 기반의 대면적 단일 3차원 집적 트랜지스터 및 적외선 센서 개발