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금속(M)-칼코겐(Q) 클러스터; 및감광 리간드;를 포함하는,포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,극자외선 조사 시 상기 감광 리간드가 분해되어 상기 클러스터간에 중합 반응을 발생시키는 것인,포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 클러스터는 사면체, 팔면체, 사각피라미드, 삼각쌍피라미드, 초분자 구조 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 구조를 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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제 3 항에 있어서,상기 초분자 구조는 M2Q6, M2Q7, M3Q8, M3Q10, M4Q10, 이들을 단위구조로 하는 고분자 체인 구조 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 초분자 구조를 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐은 S, Se, Te 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 감광 리간드는 유기 암모늄, 하이드라지늄, 광산 발생제, 광염기 발생제 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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제 7 항에 있어서,상기 유기 암모늄은 NH4+, NH3R+(R=C1 내지 C6 의 알킬기), NH2R2+(R=C1 내지 C6 의 알킬기), NHR3+(R=C1 내지 C6 의 알킬기), NR4+(R=C1 내지 C6 의 알킬기) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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제 7 항에 있어서,상기 하이드라지늄은 N2H5+, N2H4R+(R=C1 내지 C6 의 알킬기), N2H3R2+(R=C1 내지 C6 의 알킬기), N2H2R3+(R=C1 내지 C6 의 알킬기), N2R4H+(R=C1 내지 C6 의 알킬기) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,포토레지스트 조성물
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금속(M)-칼코겐(Q) 클러스터 및 감광 리간드를 포함하는 용액을 코팅하여 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 열처리하는 단계;상기 박막 상에 마스크를 배치한 후 극자외선을 조사하는 단계; 및상기 박막을 용매에 담지하는 단계;를 포함하는,포토리소그래피 공정
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제 10 항에 있어서,상기 조사에 의해 상기 감광 리간드가 분해되어 상기 박막의 용해도가 변화하는 것인,포토리소그래피 공정
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제 10 항에 있어서,상기 박막을 용매에 담지하는 단계에서, 상기 박막에 극자외선이 조사되지 않은 부분이 상기 용매에 용해되는 것인,포토리소그래피 공정
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제 10 항에 있어서,상기 코팅은 스핀코팅, 바코팅, 슬랏다이 코팅, 잉크젯 또는 그라비어 프린팅에 의해 수행되는 것인,포토리소그래피 공정
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제 10 항에 있어서,상기 열처리는 30℃ 내지 150℃ 의 온도범위에서 수행되는 것인,포토리소그래피 공정
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제 10 항에 있어서,상기 용매는 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 메틸에틸케톤, 디메틸설폭사이드 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,포토리소그래피 공정
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